ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04
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ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04
型号:ASE140N04
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
最大漏源电流:140A
漏源击穿电压:40V
RDS(ON)Max:0.04Ω
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~175℃
备受欢迎的ASE140N04 MOS管
ASEMI品牌ASE140N04是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE140N04的最大漏源电流140A,漏源击穿电压40V.
•细节体现差距
ASE140N04,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
ASE140N04具体参数为:最大漏源电流:140A,漏源击穿电压:40V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F
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