关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告
3.5v～24v 认为是高电平，0v～1.5v认为是低电平
1、0v～1.5v认为是低电平，利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V左右；
2、24V是最高电压，不能在最高电压的时候，光耦通过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦工作在大概10mA的电流，可以保证稳定可靠工作n年以上；
3、3.5V以上是高电平，为了尽快进入光敏三极管的饱和区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因此选用10K；同时要考虑到ctr最小为50％；
1、发光管端：
实验室电源（0～24V）->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd1
2、光敏三极管：
实验室电源（DC5V）->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd2
3、万用表
直流电压挡20V
万用表+ -> TLP521-1(4)
万用表- -> TLP521-1(3)
试验结果
输入电源 万用表电压(V)
1.3V 5
1.5V 4.8
1.7V 4.41
1.9V 3.58
2.1V 2.94
2.3V 1.8
2.5V 0.58
2.7V 0.2
2.9V 0.19
3.1V 0.17
3.3V 0.16
3.5V 0.16
5V 0.13
24V 0.06
光耦电流传输比的测试模型
我一直在找光耦电流传输比的测试模型，但是好像都没有看到准确的；
1、要是发光管没有电流，那么光敏三极管处于截至状态；
2、要是发光管有电流，那么根据电流传输比计算，三极管会流过一个电流；
3、假设Ic=1mA；那么，
如果Vc/Rc=1mA， 那么三极管基本上进入饱和导通状态；
如果Vc/Rc=0.5mA，那么三极管肯定进入了饱和导通状态；
如果Vc/Rc=2mA， 那么三极管进入了放大状态；
当然这是一个大体上的计算方法；还要考虑到Vce的值；但是因为同样的一种型号一个批次的光耦，它们的电流传输比离散性很大，所以大体上推算一下即可；
实际上的光耦的上拉电阻的选值，要根据Ib、电流传输比、Vcc来大体上推算一下，然后根据工程情况而定；
如果是传递开关量信号，那么，进入深度饱和就可以了；
如果是要传送频率的信号，那么，要仔细的选择Ib和Rc，找到一个最合适的参数；
什么叫深度饱和状态？
光耦的Vce刚刚=0.2V的时候，可以认为是进入了饱和的状态；
把这个时候的Ib提高到2倍，那么，肯定是进入了饱和的状态，至于是不是深度饱和，要看对深度饱和的定义；
我认为，n=3就可以看作是深度饱和了；
光耦隔离的参数是什么步骤来计算的
光耦隔离主要是考虑几个值：
1、二极管的驱动电流
2、CTR
3、光敏三极管的上拉电阻
4、光耦的速度
5、考虑隔离信号的频率值
一般的开关量信号的隔离，使用低速廉价的光耦只需要考虑一下能够保证充分饱和和截止；
高速信号的隔离，需要考虑到选用高速光耦；
这个时候，主要是按照datasheet来选择参数；
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