MOS管的密勒效应开通关断损耗分析
MOS管的密勒效应
密勒效应是指在MOS管开通时由于密勒电容Cgd的影响,导致栅源电压无法直接升至外加电压V,而是在保持Va一段时间后接着再上升至外加电压V。一般情况下,讨论MOSFET开关关断的过程,都是基于其有一个感性的负载,可以理解S极下面接了一个有二极管反并联的电流源(可以参考BUCK电路理解),具体的分析过程如下:
①t0-t1
Vgs<Vgs(th),此时MOS管工作于截止区,VDS保持不变,电流保持不变。
②t1-t2
此时Vgs>Vgs(th),管子开启,此时VDS很大,MOS管工作于恒流区,iD=gmVgs,电流随着Vgs线性增大而增大
③t2-t3
当iD升至与外电路电感电流相等时,电流不会增加,此时还是恒流区,因此Vgs也不会增加,所以此时驱动电压开始给Cgd充电,所以VDS不断减少,只到减少到某个值时使管子进入可变电阻区,此时Vgs继续上升。
密勒效应阻止了MOS管及时进入开关状态,提高了开关损耗。
MOS管的开关损耗分析
这里我们先选择了infineon公司型号为IPAN70R600P7S进行分析,我们可以在datasheet里找到如下参数:
还可以找到MOS管开通关断时VDS和VGS波形图如下
td(on):开通延迟时间,因为开关管开通时VDS电压的下降会滞后于Vgs电压的上升,该滞后时间就为td(on)
tr:上升时间,指开关管开通或关断时VDS下降或上升所需的时间
td(off):关断延迟时间,开关管关断时,VDS电压的上升滞后于Vgs电压的下降,滞后时间就为td(off)
MOS管开通关断损耗
上图为MOS管开通关断时Vgs和VDS的关系,而VDS和ID的关系如下图所示
开通损耗:
在ID到达最大值后VDS才会开始下降,开通损耗为W=VDS·ID·t/2,其中t为ID开始上升到VDS下降完毕所用时间;
关断损耗:
同理可得关断损耗为W=VDS·ID·t/2,其中t为VDS开始上升到ID下降完毕所需时间。
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