STM32L0 内部EEPROM写读

说明

STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。

基础写读函数

定义内部EEPROM的地址空间：

//STM32L031K6T6
#define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000
#define EEPROM_BYTE_SIZE    0x03FF

基础字节写函数

//Byte write
void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
{uint16_t i;HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();for(i=0;i<len;i++){status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);Data++;}HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
}

基础字节读函数

//Byte read
void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
{uint8_t *wAddr;wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);while(Len--){*Buffer++=*wAddr++;}
}

带校验写读函数

如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
如果比较正确，则操作完成。
如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。

设定重复校验次数

#include <string.h>
#define iEEPROM_CHECK_NUM 2

带操作校验的写函数

HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
{uint8_t buff[len];uint16_t i;for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++){EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);if (memcmp(Data, buff, len)==0){return HAL_OK;}}return HAL_ERROR;
}

带操作校验的读函数

HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
{uint8_t buff0[len];uint8_t buff1[len];uint16_t i;for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++){EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);if (memcmp(buff0, buff1, len)==0){memcpy(Data, buff0, len);return HAL_OK;}}return HAL_ERROR;
}

其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。

需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。

HAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：

/*** @brief  Erase a word in data memory.* @param  Address specifies the address to be erased.* @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function*         must be called before.*         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access*         and Flash program erase control register access(recommended to protect *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).* @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status*/
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
{HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;/* Check the parameters */assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));/* Wait for last operation to be completed */status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);if(status == HAL_OK){/* Clean the error context */pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;/* Write 00000000h to valid address in the data memory */*(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);}/* Return the erase status */return status;
}

上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。

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