元器件的温度特性(电容、电感、晶振等)


文章目录

  • 元器件的温度特性(电容、电感、晶振等)
  • 前言
  • 1 电阻
  • 2 电容
    • 2.1铝电解电容
    • 2.2 陶瓷电容:
    • 2.3 钽电容:
  • 3 电感
  • 4 晶振
  • 5 二极管(PN结)
  • 6 三极管
  • 7 存储芯片
  • 8 显示屏
    • 8.1屏幕
    • 8.2触摸屏幕
  • 9 总结

前言

在电子产品设计制造过程中,需要考虑环境温度对元器件的影响。了解元器件的温度特性有助于在产品设计初期规避风险,在环境试验中快速定位产品问题。产品温度适应性:
民用级0-70
工业级 -40~85
汽车级 -40~125
军用级 -55~125
下面对常用的电子元器件进行温度特性分析。


1 电阻

一般的电阻的阻值与温度的关系为:温度越高,电阻越大。我们可以通过观察其温度系数来了解其与温度的关系,例如:
威世生产的贴片电阻。其温度系数为±200ppm/K。那么以一个常温25℃-30kΩ的电阻为例,其在-40℃时的电阻值可能为:30k*(1-(25+40)*200ppm)=30k *0.987=29.61k。

大部分的时候电阻是用来分压采样的,特别是用在一些电源的FB反馈电阻,电阻的温漂会导致采样错误,输出错误。选择同厂商/批次的电阻,在温度变化时,其温度变化率趋于一致,可以避免采样偏差。在温度较高时应该对功率电阻降额使用,避免出现由于功率过大,散热差的原因导致的电阻损毁。总的来说,电阻的温度特性还算稳定。

2 电容

电容根据制造工艺分类,常用的有:铝电解电容、钽电容、陶瓷电容等(常用的)。

2.1铝电解电容

有极性,其靠化学反应原理进行充放电,容量可以做到很大、价格很便宜,但是响应速度慢,等效电阻也大。其温度特性很差,高温电解液蒸发,会降低容量和寿命,低温电解液析出会降低容量甚至直接不可用。所以在电子产品设计时,在考虑温度特性和使用寿命时要特别关注一下电解电容。

2.2 陶瓷电容:

无极性,利用的是物理特性,响应速度快。陶瓷电容比较脆,所以在布置PCB时需注意其板上应力。介电介质不同,其温度特性也有较大不同。材质的特性是容量与温度系数呈现反相关,即可以做大容量的材质,其温度影响大。
Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化,下面以C0G介质为例。C0G介质的变化量仅0±30ppm/℃,实际上C0G的电容量随温度变化小于0±30ppm/℃,大约为0±30ppm/℃的一半。
Ⅱ类陶瓷电容器有: X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U等。
Y5V表示工作在-30+85度,整个温度范围内偏差-82%+22%
X5R表示工作在-55~+85度,整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度,整个温度范围内偏差正负15%
NPO(COG)是温度特性最稳定的电容器,电容温漂很小,整个温度范围容量很稳定,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大(几千个pF)。

2.3 钽电容:

有极性,钽电容的容量大、速度快、价格贵。但是有致命缺点,过压易击穿,击穿后呈现短路特性。钽电容的容量随温度升高而增大。有较好的温度特性。

3 电感

电感是由金属丝绕指在导磁物质上,其温度特性其实是导磁物质的温度特性。也有说温度导致金属热胀冷缩,影响电感值。但实际使用中,电感对于温度是不敏感的。注意焊接高温等可能对电感磁芯消磁。

4 晶振

晶振也根据材料特性分类。目前常用的是石英晶振,其为外置在控制器之外,为其提供时钟源,还有一种是内置在处理器内部的时钟,其采用的是RC压感+pll锁相技术。时钟偏移对于控制器较大的影响是一些串行设备(串口)会出现数据传输错误。
RC时钟,其启动速度快,但温漂大,所以一般在控制器外都放一个石英晶振,控制器在上电后使用,在配置时钟时,会切换为外部晶振(也有很多应用对时钟精度要求不高,无外部晶振,这就不需要切了)。
石英晶振:如下是一个温漂图。(Abracon LLC(Abracon) ABM8W 32.0000M)

另外一种低温对晶振的影响现象是在低温下,晶振彻底停振。这种情况主要是由于晶振制成不合格所致。若晶振在封装制成中,气密性不达标,或未抽真空并添注氮气,晶振内部可能残存细微固体颗粒及水蒸气。在低温条件下,水蒸气会与细微固体凝聚成小水滴并固着于石英晶片表面,造成晶振DLD2或电阻超差。足够严重时,直接导致晶振停振。

5 二极管(PN结)

二极管是对温度比较敏感的元件,温度的变化会激发二极管内部参与导电物质的活跃程度。
温度越高,相同端电压情况下,二极管的正向导通电流和反向饱和电流也就越大。

6 三极管

三极管高温热击穿。根据三极管的温度特性,温度越低,三极管开启电压阀值越高,更不容易开启。

7 存储芯片

低温导致电子的迁移速度变慢,读写数据变慢
仅就本次测试芯片而言(不代表所有Nand Flash),结论如下
MLC低温影响比高温影响更明显;
MLC在高温和低温条件下性能不会发生明显的变化;
SLC则相反,高温影响明显高于低温影响;
但是,在低温条件下,虽然误码率不明显,SLC的性能会变慢;

8 显示屏

8.1屏幕

-20~70 使用温度。液晶失效。OLED受温度影响比较小。

8.2触摸屏幕

电容屏的工作温度是-10℃~60℃,工作湿度90%无凝结,不满足工作环境时就有可能会出现“漂移”现象。电容屏的存储温度是-20℃~70℃,在高温或低温环境中存储、运输也可能损坏电容屏。
特别注意的是电容屏比较怕高温,在太阳光下长时间暴晒或长时间置于高温环境中,有可能永久损坏电容屏。充电导致屏幕发热后,请先等待屏幕温度降低再使用。
电阻屏的温度特性会好一点。

9 总结

本文根据笔者自身的工程经验、结合网上的资料整理,得出以上的结论。根据笔者经验,一般的温度适应性试验,比较难的点是:低温启动,高温长时间运行,温度冲击等,希望以上的整理能对工程师有所提示。若有纰漏,还请指正。

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