1、箭头指向栅极G的为NMOS,反之为PMOS

2、箭头的方向代表了电子的运动方向,电流方向与之相反

NMOS是栅极高电平(|VGS| > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平(|VGS| > Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

NMOS因Source端一般接地(低电位),所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压,这样管子才能导通;

PMOS因Source端一般接VDD(高电平),所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压(低与VDD的电压),这样管子才能导通。

1. 三个极的判定


G极(gate)—栅极,不用说比较好认
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边

2. N沟道与P沟道判别


箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

3. 寄生二极管方向判定


不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:
要么都由S指向D,要么都有D指向S

4. MOS开关实现的功能

1>信号切换
2>电压通断

5. MOS管用作开关时在电路中的连接方法

关键点:
1>确定那一极连接输入端,那一极连接输出端
2>控制极电平为?V 时MOS管导通
3>控制极电平为?V 时MOS管截止

NMOS:D极接输入,S极接输出
PMOS:S极接输入,D极接输出

反证法加强理解
NMOS假如:S接输入,D接输出

由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如:D接输入,S接输出

同样失去了开关的作用

6. MOS管的开关条件

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|

7. 相关概念

BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;
FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件.
按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

8. MOS管重要参数

①封装
②类型(NMOS、PMOS)
③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)

9. 从MOS管实物识别管脚


无论是NMOS还是PMOS
按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。

管脚编号

从G脚开始,逆时针123
三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123

10. 用万用表辨别NNOS、PMOS

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。

11. 画一个MOS管

NMOS可以等效成一个由电压控制的电阻,这个电压指的是gs两端的电压差,电阻指的是ds两端的电阻,DS电阻会随着gs电压的变化而发生变化。两者之间的关系如下:

NMOS的三个参数:

1)Vgsth:mos管被打开所需要的最小电压

当Vgs大于Vgsth时mos管被打开,否则mos管没法被正常打开,所以在选择nmos管时,如果高电平是对应的5v,那么选择3v左右的Vgsth比较合适。太小的话会因为干扰误触发,太大的话又打不开这个mos管。

2)Rdson:NMOS管被完全打开时的DS电阻。电阻值越小越好,但是价格也会越贵。

3)Cgs:g跟s之间的寄生电容(所有的NMOS都有)。Cgs会影响到NMOS打开速度,因为加载到gate端的电压会首先给这个电容充电,导致了Vgs并不能一下子到达指定的值,它有一个爬升过程,当然因为Cgs较小,一般情况下感受不到它的存在。

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