理解ROM,PROM,EPROM,EEPROM,RAM,DRAM，SRAM,FLASH是什么

一.名词解释

**易失性存储器（Volatile Memory，VM）：电源开启时资料存在，电源关闭则资料立刻流失（资料挥发掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。

非易失性存储器（Non-Volatile Memory，NVM）：电源开启时资料存在，电源关闭资料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。**

1.ROM(Read Only Memory）：
其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改。

2.PROM(Programmable ROM):
内部并没有资料,用户可以用专用的编程器将自己的资料写入,但是这种机会只有一次,

3.EPROM（Erasable Programmable ROM）：
采用紫外线擦除，电编程方式的器件，EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器，用不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

4.EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)：
电擦除，电编程的器件，EPROM的擦除是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不会将资料全部清除。

5.RAM(Random Access Memory):
随机存储，掉电不会保存数据,是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

6.SRAM：（Static Random Access Memory）
它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，价格高，少量用于关键性系统以提高效率。

7.DRAM（Dynamic Random Access Memory）：
是最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

8.SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory):
同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

9.FRAM:（Ferroelectric Random Access Memory):
将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。FRAM 提供一种与RAM一致的性能，但又有与ROM 一样的非易失性。FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。

10.Flash(Flash Memory)
属于非易失性存储设备,数据在Flash内存单元中是以电荷形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。

Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了，由于擦除时间很短，也称Flash Memory。

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