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实验目的：

实验设备及器件：

实验内容：

1.频率特性分析

1.1 C4为100pF时电路的频率特性分析

1.2 C4为0.01μF时电路的频率特性分析

1.3 C4电容不同时电路的频率特性分析与比较

2.深度负反馈频率特性分析

2.1 C4为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析

2.2 C4为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析

3.计算、仿真、测试共射放大电路过程中的体会

附录：Multisim中晶体管模型参数修改表：

实验五共射放大电路的频率特性与深负反馈的影响

计算、仿真、测试分析报告（指导）

（请在本文件中录入结果并进行各类分析，实验结束后，提交电子文档报告）

实验目的：

以实验3相同电路为测试对象：掌握获得波特图的测试、仿真方法；掌握负反馈对增益、上下限截频的影响，了解输入输出间的电容对上限截频的影响等。

在开始实验前，请阅读本指导书附录（Multisim中晶体管模型参数修改表）中的内容。

实验设备及器件：

笔记本电脑（预装所需软件环境）

AD2口袋仪器

电容：100pF、0.01μF、10μF、100μF

电阻：51Ω*2、300Ω、1kΩ、2kΩ、10kΩ*2、24kΩ

面包板、晶体管、2N5551、连接线等

实验内容：

电路如图3-1所示（搭建电路时应注意电容的极性）。

搭建的电路图实物图如下图所示：

说明：

色环与电阻：

1.频率特性分析

1.1 C4为100pF时电路的频率特性分析

（1）Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-1）

电路图搭建如图所示：

注意：

2N5551的参数是需要根据自己实验三的参数重新设定的。

电容选用普通电容进行仿真即可。

别忘了接地。

波特仪：

右边一竖列仪器从上往下数第11个。

点击运行开始测试，双击波特仪查看曲线情况。将坐标单元调为50dB和-50dB。

其他不动。

大概的图类似于这样：

找中间最平滑的部分，取一个点。读出这个位置的增益。大概范围是21~23dB左右。

然后这个增益减3dB，找到曲线上的那个点。

具体调整方法如下：选中标定线（蓝色的竖线），右键，set Y value，=>表示向右边寻找，<=表示向左边寻找。设置值为<平滑位置测出的增益-3dB>

（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-1）

AD2接口：

使用AD2波特仪需要用到的接口：channel1的1+和1-，channel2的2+和2-；

使用电压源需要的接口：V+和V+左边的接地（向下箭头）

使用交流源需要的接口：W+和W+右边的接地（向下箭头）

总计8个接口。

和电路相连之后的效果：

WaveForms仪器参数调整：

Supplies

Wavegen1

Network（Network是Welcome页的波特仪打开的）

然后打开Supplies和Wavegen1，点击上图中的Run，开始运行，大概会出现这样的图：

鼠标双击曲线，就会出现红色标线，方便读取数据。找曲线水平的部分取点，之后读取到的增益-3dB带宽，再找到相应的点，读取相应的频率即可。

（3）对比分析仿真与测试的频率特性：

表1-1 100pF电路频率特性

	增益（dB）	下限截频	上限截频
计算
仿真
测试

对比分析：

将仿真值和测量值填入上表。注意，增益是你在水平部分取到的某点的增益，那个点上的增益是多少你就填多少，大概范围在21~23dB。

1.2 C4为0.01μF时电路的频率特性分析

（1）Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-2）

调整电容为0.01uF，其余不变，按照上面仿真的步骤进行实验。

中频增益就是曲线水平部分取到的点的增益值，大概在21~23dB左右。

（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-2）

将电容101换成103，其余不变，按照上面的步骤进行实验。

（3）对比分析仿真与测试的频率特性：

表1-2 0.01μF电路频率特性

	增益（dB）	下限截频	上限截频
计算
仿真
测试

对比分析：

1.3 C4电容不同时电路的频率特性分析与比较

思考扩展：在本实验中，三极管2N5551C的基极与集电极之间存在电容C4，在实验中，C4在电路中起着什么作用，其电容大小是否会对电路造成影响，造成了什么影响？

表1-3 电路频率特性比较

	增益（dB）	下限截频	上限截频
计算
仿真（100pF）
仿真（0.01μF）
测试（100pF）
测试（0.01μF）

将发射极电阻R3和R4对调位置（即：改变交流负反馈深度，但静态工作点不变）。计算中频增益：

将结果填入上表。

2.深度负反馈频率特性分析

按要求将两个电阻的位置互换，然后将上一次的103电容换成101的，直接做下面这个实验。

2.1 C4为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析

（1）电路中C4为100pF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-1）

注意电容更换，按照以前仿真的步骤进行实验。增益范围大概在9.0~9.5之间，正常实验会有很多位小数，比我给的这个范围边界值精确。记录数据的时候小数点后记录3~4位。

（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-1）

注意更换，按照以前测试的步骤进行实验。同上。

（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：

表2-1 100pF电路加深反馈前、后的频率特性对比

	增益（dB）	下限截频	上限截频
计算（浅负反馈）
仿真（浅负反馈）
测试（浅负反馈）
计算（深负反馈）
仿真（深负反馈）
测试（深负反馈）

分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。

将数据填入上表。

2.2 C4为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析

将101电容换成103电容，其余不变。（注意这个时候源极电阻（51欧和300欧电阻）已经换过了，不用再动了）

（1）电路中C4为0.01uF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-2）

（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-2）

注意更换，按照以前测试的步骤进行实验。同上。

（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：

表2-2 0.01uF电路加深反馈前、后的频率特性对比

	增益（dB）	下限截频	上限截频
计算（浅负反馈）
仿真（浅负反馈）
测试（浅负反馈）
计算（深负反馈）
仿真（深负反馈）
测试（深负反馈）

分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。

将测量结果填入上表。

3.计算、仿真、测试共射放大电路过程中的体会

附录：Multisim中晶体管模型参数修改表：

调用2N5551晶体管模型，修改晶体管的相关参数（见下表，除表中各项需要修改外，其他不变）

	原2N5551编辑模型参数	修改后2N5551模型参数
传递饱和电流 IS	2.511e-015(f)	3.92e-014
理想最大正向放大倍数BF	242.6	（通过万用表实际测量β）//声明这里的数据一定要改！！！是大家实验三测出的数据，每个人不一样，会导致仿真结果不一样！！！
正向厄尔利电压VAF	100	1e30	修改目的是忽略基区调宽效应的影响
正向放大倍数高电流转角IKF	0.3458	1e30	不考虑大电流时β的下降
B-E漏饱和电流 ISE	2.511e-015(f)	0	不考虑小电流时β的下降

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北邮22信通：实验五共射放大电路的频率特性与深负反馈的影响

实验目的：

实验设备及器件：

实验内容：