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三星今天在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”,在会上发布了新的850 Pro系列SSD,该系列SSD的最大特色就是使用了3D

V-NAND闪存,三星对于闪存的使用还是相当大胆的,去年推出了首款使用TLC闪存的840系列,而现在的850 Pro则是首款采用3D V-NAND技术的SSD。

三星850 Pro并没有采用最新的M.2或者SATA-E接口,继续使用SATA

6Gbps接口,共有128、256、512和1TB四个容量,最大连续读写速度为550/520 MB/s,4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000,采用三星第二代86Gbit

40nm MLC V-NAND,将与7月中旬正式上市,不同容量的具体性能请看下表:

现在已经有多个外国媒体对850 Pro进行了评测,我们现在翻译的这个是来自Hardware.info的,另外关于3D

V-NAND我们之前有专门的文章对其进行了介绍,简单来说就是不通过传统的缩小cell单元来最求大容量,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量,有兴趣了解详情的朋友可以去看看这个《NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解》。

三星850 Pro正面

三星850 Pro反面

128GB与256GB的850 Pro上面只有四颗闪存

512GB与1TB的850 Pro上面则有8颗闪存,PCB也长很多

三星850 Pro所用的主控与840 EVO一样是MEX,内置一颗三核ARM

Cortex-R4处理器,主频400MHz,采用LPDDR2作为缓存,128GB的缓存是256MB,256GB与512GB的缓存容量是512MB,而1TB的缓存容量是1024MB。

三星在去年发布840 EVO时推出了RAPID技术,利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存,这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升,而现在的850

Pro则支持升级版的RAPID 2.0技术,支持更大的内存并且改进了缓存算法。

下一页开始是各种测试,先在这里说一下结论:在目前的消费级SATA 6Gbps的SSD中,850Pro可以说是性能最强的,连续性能与上代840Pro基本一样,随机性能则有明显的提升。

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