储存器的区别之——RAM、ROM、FLASH

RAM

RAM指的是“随机存取存储器”，即Random Access Memory。它可以随时读写，而且速度很快，缺点是断电后信息丢失。

SDRAM
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；SDRAM是属于上电就可以运行程序的。一般我们把bootstrap放在SDRAM运行来初始化SRAM，SRAM来运行uboot，这样做可以节约空间。
SRAM
静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种,SRAM和DRAM的区别就是SRAM不用随时刷新电路，但是掉电也会丢失数据。
NVRAM
非易失性随机存取存储器是无需施加电源即可保留数据的随机存取存储器，这与动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）两者仅在通电时才保持数据形成了鲜明的对比。因为自身带有电池，但是他比较小，一般256个字节。

ROM

ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory，不能进行修改，所以出厂的时候都是厂家设置好的信息，不能修改的。

PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次。
EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。
EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。

FLASH

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND FLASH在擦除的时候时间比NOR擦除快很多，但一般小数据都会考虑NOR FLASH

1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

NOR FLASH
NOR flash容量为1～16MB，主要应用在代码存储介质中，擦写次数是十万次，其可以直接运行代码像SDRAM一样。
NAND FLASH
NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,NAND适合于数据存储,NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作，而且坏块不能写入，所以需要进行虚拟映射。

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