ic和mos怎么区分_快速掌握MOS管源极和漏极的区别!看了受益匪浅！

MOS管的源极和漏极区别

MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。

一、指代不同

1、源极：简称场效应管。T仅是bai由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

【总结】

MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。而N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子(也就是电子)可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。由于导电沟道是N型的，所以称为N沟道结型场效应管。场效应管(包括结型和绝缘栅型)的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。

对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。

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