晶振外匹配电容应该怎样选取
参考链接:晶振负载电容外匹配电容计算与晶振振荡电路设计经验总结 (sohu.com)https://www.sohu.com/a/230413766_629440前面对于晶振的匹配电容选取一直模棱两可,选一个1.5倍负载电容的电容上去芯片也能用,后面觉得这样对自己和对项目都不负责任,所以仔细研究了一下选取的大致步骤,在这里做一下记录。
首先我们拿到一个晶振的资料时,首先应该找到晶振的负载电容和并联电容(有些资料上并联电容也叫晶振静态电容,管脚间寄生电容,英文名为shunt capacitance)
确定这两个值以后,我们来看一下晶振的等效模型,不懂的可以看一下这位大佬的文章
(5条消息) 晶振详解之工作原理_sternlycore的博客-CSDN博客https://blog.csdn.net/sternlycore/article/details/102534554
负载电容的计算公式如下:
(公式1)
即负载电容跟晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容 、晶体振荡电路输出管脚到GND的总电容以及晶体本身的并联电容有关。
我们知道晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容一般由以下几部分组成:
1.需要外加晶振的单片机或其他IC管脚到GND之间的寄生电容 ;
2.振荡输入端OSC_IN的PCB走线到GND之间的寄生电容 ;
3.电路上额外需要增加的并联到GND的外匹配电容 。
即:
=++ (公式2)
同样的,晶体振荡电路输出管脚到GND的总电容一般由以下几部分组成:
1.需要外加晶振的单片机或者其他IC管脚到GND之间的寄生电容 ;
2.振荡输出端OSC_OUT的PCB走线到GND之间的寄生电容 ;
3.电路上额外需要增加的并联到GND的外匹配电容 。
即:
=++ (公式3)
如上所述,我们应该通过需要外接晶振的单片机或者其他IC的资料确认寄生电容和
以STM8L052R8T6为例,手册77页详尽的描述了低速外部时钟引脚的寄生电容值为0.6pF。
我们知道,在平时的电路设计中会要求晶体尽可能的靠近振荡电路,即走线尽量短并且对称,所以和 的值应该很小,这里按照经验一般取0.2pF。
为了保持晶体的负载平衡,即晶振电路输入输出的电容需保持一致,所以在实际应用中,往往取
= 。
由此,我们将该例中用到的晶振并联电容以及负载电容值,单片机的寄生电容值代入公式1可以得到:
即:
由公式2或公式3可以推算出:
我们取21.6pF相近的值即22pF作为最终的外匹配电容值。
晶振外匹配电容应该怎样选取相关推荐
- 如何计算石英晶振的匹配电容
石英晶振的匹配电容(也叫负载电容)应该如何计算选定才合适呢?它和线路上的外挂电容又是怎么样的换算关系呢?作为专业生产晶振的厂家广州晶晟电子 技术中心给出了如下计算方式供相关人员参考: 晶振内部负载电容 ...
- 晶振 负载电容 匹配电容
https://blog.csdn.net/Glory_Zhao/article/details/78141921 什么是负载电容? 负载是指连接在电路中的电源两端的电子元件负载包括容性负载.阻性负载 ...
- 晶振噪声及杂散_晶振如何匹配电容看了就知道
描述 一.什么是晶振 了解晶振之前,我们先来看一下我们最为熟悉的51单片机,我们都知道51单片机最小系统包括供电电源.复位电路以及晶振系统. 这是CPU能跑起来的最基本条件.由此我们可以看到晶振在电路 ...
- (转)晶振负载电容外匹配电容计算与晶振振荡电路设计经验总结
|本文转自:晶振负载电容外匹配电容计算与晶振振荡电路设计经验总结 - 竹夭的日志 单片机论坛 http://www.51hei.com/bbs/blog-191639-10272.html 对应M ...
- 模电:晶振与匹配电容的总结
1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容.一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容.要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容.一般晶振两端所接电容是所要求的负载电 ...
- 晶体(crystal、无源晶振)两端电容取值计算
数字电路中往往会需要一个时钟源,常用的比如晶体振荡器(oscillator.有源晶振).晶体(crystal.无源晶振)等,一般晶体用的更多些.对于晶体来说,一般电路设计时会在晶体两端各接一个电容到地 ...
- 为什么 战舰stm32f103开发板32.768k晶振没有接电容
主要是方便起振,ST的RTC晶振特难振,不焊接这两个电容,起振率高一点 转自: http://www.openedv.com/forum.php?mod=viewthread&tid=737 ...
- 学习笔记之——晶振选型主要参数和外接匹配电容的计算
文章目录 1. 晶振选型主要参数介绍 2. 晶振外匹配电容CL1及CL2计算方法 3. 晶振pcb电路设计注意事项 4. 晶振不起振分析及解决 1. 晶振选型主要参数介绍 我们常说的晶振,包含两种: ...
- STM32晶振 选型
频率 STM32有5个时钟源,有高速内部时钟(HSI)和低速内部时钟(LSI),还有高速外部时钟(HSE)和低速外部时钟(LSE),而这里的外部高速时钟HSI就是我们图中的Y1,8MHz的晶振,外部低 ...
- 无源晶振匹配电容—计算方法
以前有写过一篇文章"晶振"简单介绍了晶振的一些简单参数,今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法: 如上图,是常见的的无源晶振常见接法,而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法, ...
最新文章
- mysql数据库互联网连接_myeclipse怎么连接mysql数据库?(详细步骤)
- 后疫情时代怎么办?来看看联想的智慧答卷
- 云计算安全威胁集中营
- 敏捷开发-Scrum与精益相得益彰
- ES6 的新特性总结
- tidb vs mysql_一个长耗时SQL在TiDB和Mysql上的耗时测试
- python读取大文件的坑_Python读取大文件的坑“与内存占用检测
- tar 参数 m. linux,Linux tar命令参数详细说明
- 中国光伏产业将面临何种形势?
- sp导出法线_SP导出贴图导Redshift渲染效果不同的问题
- Sourcetree使用 - git图形化工具(三)
- Data Mining with R
- java xssfworkbook_java - poi(XSSFWorkbook)读取excel(.xlsx)文件
- Java——1. 安装
- 消失的梯度问题(vanishing gradient problem)
- 博士毕业论文英文参考文献换行_如何赏心悦目的翻译英文文献全文
- ESP8266-01 使用 Arduino IDE
- Android开发中的WMS详细解析
- 解决pycharm调用plt.show()后无图片显示问题
- 上蔡一高2021高考成绩查询,喜报!上蔡高考英雄榜出炉!