1.IR Drop电压降

由于芯片内部电源网络寄生参数的存在,从而导致电源从输入输出接口到达芯片内部各点的电势不同,其差值称为电压降(IR Drop)。电压降分为两种,一是内部节点电压VDD低于供电点的电压降,另外一种是内部节点电压VSS高于供电点电压(ground bounce)。

2.EM(electro migration)电子迁移

在高的电流密度作用下,互连线中大量向阳极运动的电子碰撞金属,使金属原子受迫随着电子运动的方向进行定向扩散,即金属原子的电迁移。
当电流密度超过一定阈值,金属连线产生断路或短路,从而引起IC失效,其表现:
    连线中形成空洞,增加电阻;空洞扩大,最终贯穿连线,形成断路
    在连线中形成“突起”,造成线间短路;
    在连线间形成“晶须”,造成层间短路;

3.CMOS电路功耗

MOS管消耗的功耗可以表示为:P=∫_0^t▒(V_DD "I" _leak+CV_DD^2 f_c )dt
其中,∫_0^t▒〖V_DD "I" _leak dt〗 为静态功耗(也叫泄漏功耗),由供电电压(漏源电压V_DD)、泄漏电流"I" _leak和供电时间决定;∫_0^t▒〖CV_DD^2 f_c dt〗 为动态功耗,由负载电容、供电电压、信号频率和供电时间决定。
由公式知,降低静态功耗的方法有三个:降低供电电压、减小泄漏电流、减少供电时间。降低动态功耗的方法有四个:减少负载电容、降低供电电压、降低信号翻转频率、减少供电时间。
在静态功耗没有收起大家特别注意时,低功耗方法主要集中在降低电压与降低信号翻转频率两个方法上。随着工艺的进步,静态功耗在总功耗中所占的比例越来越重,光降低动态功耗已经完全不能满足需求。

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