【NOR闪存】MT25TL256BBA8ESF-0AAT 256Mbit、MT25TL01GBBB8ESF-0AAT 1Gbit 16-SOP
器件说明:
Micron串行NOR闪存可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。这些器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性,易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间,同时确保与现有和未来设计的兼容性。
这些串行NOR闪存具有低引脚数,简单易用,是适用于编码阴影应用的简单解决方案;只需在存储器中提供一个起始地址用于读取,然后即可在整个存储器阵列中连续地从器件输出数据。高级安全和内存保护等特性可让您高枕无忧,确保重要程序代码和敏感用户数据的安全。Micron的串行NOR闪存解决方案可满足您的任何应用需求。
【NOR闪存】MT25TL256BBA8ESF-0AAT 256Mbit、MT25TL01GBBB8ESF-0AAT 1Gbit 16-SOP,明佳达。
特性:
• 较低密度、低引脚数(串行)
• 简单易用
• 可靠的代码和数据存储
• 快速读取和随机访问时间
• 较高的耐用性和数据保持力
MT25TL256BBA8ESF-0AAT(256Mb)规格:
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:256Mbit
存储器组织:32M x 8
存储器接口:SPI
时钟频率:133 MHz
写周期时间 - 字,页:8ms, 2.8ms
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC (0.295", 7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOP2
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT(1Gbit)规格:
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:1Gbit
存储器组织:128M x 8
存储器接口:SPI
时钟频率:133 MHz
写周期时间 - 字,页:8ms, 2.8ms
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC (0.295", 7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOP2
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