NandFlash 驱动分析与基础功能实现
NandFlash
- 一、写作目的及参考来源说明
- 二、NandFlash的简介
- 三、引脚功能
- 四、Array Organization（组织阵列）
- 1 . 最小读写单元
- 2 . 最小擦除单元
- 3 . Nand Flash控制器与Nand Flash芯片
- 3 . SLC和MLC
- 4 . oob / Redundant Area / Spare Area
- 五、基于 CPU NandFlash 控制器的操作
- 1 . NAND FL ASH CONFIGURATION REGISTER 的时序时间计算
- 2 . CONTROL REGISTER
- 3 . 初始化2440 的 nandflash 控制器
- 4 . 基于nandflash 控制器的操作
- 使能NAND Flash
- 5 . I/O 0~7 地址/命令/数据
- 6 . 坏块检测
- 7 . 数据读取
- 8 . 数据写入
- 9 . block擦除过程
- 10 . 软件获取芯片ID
- 六、NAND操作菜单汇总及串口输出测试
- 七、代码汇总
一、写作目的及参考来源说明
NandFlash 尽管本身时序复杂，但是经过这么多年的发展，早已形成了一种专用的接口，作为普通使用者来说，我们无需直接去编写配置复杂的时序，只需按照CPU芯片手册和NAND手册的要求去配置SOC的nand控制器就可以了 ，即便是这样，有些流程和细节仍需我们注意，本篇以三星公司生产的 K9F2G08U0C为例，特此记录，但本人求忘记的时候“”有章可循“”，也希望能够帮助更多的人
本篇所写，如有错误，欢迎评论区批评指出
本篇参考了以下博客的内容和韦东山老师的讲解，特此感谢
NAND_FLASH(K9F1208U0C)驱动分析
Nand Flash基础知识与坏块管理机制的研究
物联网：关于Nand flash读写范围的问题
二、NandFlash的简介
Nand flash成本相对低，说白了就是便宜，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大，现在常见的Nand Flash都是1GB，2GB，8GB，更大的128GB的都有了，相对来说，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。
(图片来源于网络，如有侵权请告知)
三、引脚功能
注意：“#” 表示第低电平有效
| 标号 | 功能 |
|---|---|
| I/O 0~7 | 命令/地址/数据 复用 |
| CLE | 命令锁存使能 |
| ALE | 地址锁存使能 |
| CE# | 片选（芯片使能） |
| RE# | 读使能 |
| WE# | 写使能 |
| WP# | 写保护 |
| R/B# | 待续/忙状态 |
| Vcc | 电源 |
| Vss | 地 |
| N.C | 无连接 |
四、Array Organization（组织阵列）
1 . 最小读写单元
如图所示，nandflash 的最小的读写单元是一个page，一个 page 由 2K Bytes 大小的数据存储区和64Bytes的oob区组成，数据存储区用于存放我们要存储的数据，而剩下的oob区用于存放数据的校验值，所以我们一般说 Page Size都指的是2 KBytes 的数据存储区。
2 . 最小擦除单元
nandflash 的最小擦除单元是一个block，一个block由 64 个 page 组成，也就是 64 x 2 x 1024 + 64 x 64 = 128KBytes + 4KBytes
最终 2048 个 block 组成了一个device，即nandflash块设备
前面说了，nandflash 的缺点是使用中数据读写容易出错，所以对于每个page的数据区为2KB的nandflash,其坏块标记是一次标记一个block到该block的第一个page的oob区的第一个和第二个字节，读取校验的的时候需要block对齐
3 . Nand Flash控制器与Nand Flash芯片
摘自： Nand Flash基础知识与坏块管理机制的研究
我们写驱动，是写Nand Flash 控制器的驱动，而不是Nand Flash 芯片的驱动，因为独立的Nand Flash芯片，一般来说，是很少直接拿来用的，多数都是硬件上有对应的硬件的Nand Flash的控制器，去操作和控制Nand Flash，包括提供时钟信号，提供硬件ECC校验等等功能，我们所写的驱动软件，是去操作Nand Flash的控制器
然后由控制器去操作Nand Flash芯片，实现我们所要的功能。
由于Nand Flash读取和编程操作来说，一般最小单位是页，所以Nand Flash在硬件设计时候，就考虑到这一特性，对于每一片（Plane），都有一个对应的区域专门用于存放，将要写入到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的，一页的数据，这个数据缓存区，本质上就是一个缓存buffer，但是只是此处datasheet里面把其叫做页寄存器page register而已，实际将其理解为页缓存，更贴切原意。
而正是因为有些人不了解此内部结构，才容易产生之前遇到的某人的误解，以为内存里面的数据，通过Nand Flash的FIFO，写入到Nand Flash里面去，就以为立刻实现了实际数据写入到物理存储单元中了，而实际上只是写到了这个页缓存中，只有当你再发送了对应的编程第二阶段的确认命令，即0x10，之后，实际的编程动作才开始，才开始把页缓存中的数据，一点点写到物理存储单元中去。
3 . SLC和MLC
SLC 和MLC分别是是Single-Level Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写，SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。所以DIY固态U盘可以尽量选择SLC
那么软件如何识别系统上使用过的SLC还是MLC呢？
Nand Flash设计中，有个命令叫做Read ID，读取ID，读取好几个字节，一般最少是4个，新的芯片，支持5个甚至更多。以K9F2G08U0C为例，支持5cyc。
从这些字节中，可以解析出很多相关的信息，比如此Nand Flash内部是几个芯片（chip）所组成的，每个chip包含了几片（Plane），每一片中的页大小Page Size，Block Size 块大小，等等。
3rd ID Data 的 Cell Type 从2起步，表明 K9F2G08U0C 是 MLC
4 . oob / Redundant Area / Spare Area
每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB（Out Of Band），这个区域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction, 或者 Error Checking and Correcting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。
Oob的读写操作，一般是随着页的操作一起完成的，即读写页的时候，对应地就读写了oob。
关于oob具体用途，总结起来有：
标记是否是坏快
存储ECC数据
存储一些和文件系统相关的数据。如jffs2就会用到这些空间存储一些特定信息，而yaffs2文件系统，会在oob中，存放很多和自己文件系统相关的信息。
五、基于 CPU NandFlash 控制器的操作
前面说了，nand已经发展为一种行业通用的接口，我们使用nand,只需要按照CPU芯片手册和NAND手册的要求去配置SOC的nand控制器就可以了。
1 . NAND FL ASH CONFIGURATION REGISTER 的时序时间计算
下面我们来看一下手册中的相关内容：
2440中nand时序：
然后我们在nand手册中找一个时序图，来计算一下CPU 的 nand 控制器的TACLS、TWRPH0、TWRPH1 的时间：
计算好时间之后我就可以写相应的2440 的nandflash控制器（NAND FL ASH CONFIGURATION REGISTER）了：
之前我们进行过CPU的时钟配置，HCLK = 100M 如下：
/* 设置MPLL, FCLK : HCLK : PCLK = 400m : 100m : 50m *//* LOCKTIME(0x4C000000) = 0xFFFFFFFF */ldr r0, =0x4C000000ldr r1, =0xFFFFFFFFstr r1, [r0]
所以，可以分别计算出TACLS、TWRPH0、TWRPH1的值 0，1，0，见上图 NAND FL ASH CONFIGURATION REGISTER中的红色字
2 . CONTROL REGISTER
3 . 初始化2440 的 nandflash 控制器
首先，在s3c2440_soc.h中地址有如下宏定义
/*NAND Flash*/#define NFCONF __REG(0x4E000000) //NAND flash configuration
#define NFCONT __REG(0x4E000004) //NAND flash control
#define NFCMD __REG_BYTE(0x4E000008) //NAND flash command
#define NFADDR __REG_BYTE(0x4E00000C) //NAND flash address
#define NFDATA __REG_BYTE(0x4E000010) //NAND flash data
#define NFMECC0 __REG(0x4E000014) //NAND flash main area ECC0/1
#define NFMECC1 __REG(0x4E000018) //NAND flash main area ECC2/3
#define NFSECC __REG(0x4E00001C) //NAND flash spare area ECC
#define NFSTAT __REG_BYTE(0x4E000020) //NAND flash operation status
#define NFESTAT0 __REG(0x4E000024) //NAND flash ECC status for I/O[7:0]
#define NFESTAT1 __REG(0x4E000028) //NAND flash ECC status for I/O[15:8]
#define NFMECC0_STATUS __REG(0x4E00002C) //NAND flash main area ECC0 status
#define NFMECC1_STATUS __REG(0x4E000030) //NAND flash main area ECC1 status
#define NFSECC_STATUS __REG(0x4E000034) //NAND flash spare area ECC status
#define NFSBLK __REG(0x4E000038) //NAND flash start block address
#define NFEBLK __REG(0x4E00003C) //NAND flash end block address
代码配置如下：
#define TACLS 0
#define TWRPH0 1
#define TWRPH1 0void nand_init(void)
{/*设置NAND FLASH 的时序 */NFCONF = (TACLS << 12) | (TWRPH0 << 8) | (TWRPH1 << 4);/* 设置NAND FLASH 控制器 */NFCONT = (1 << 4) | (1 << 1) | (1 << 0);
}
4 . 基于nandflash 控制器的操作
有了nandflash 控制器，我们的读写操作就变得相对简单了，只需要读写相应的CPU的nand相关的寄存器，2440就可以自动按照读写时序读取或发出数据。
下面以 2440 和 K9F2G08U0C 为例来进一步说明：
使能NAND Flash
前面的引脚 CE# 片选（芯片使能）低电平时有效，写MODE 位为1, 2440的nFCE引脚就会为低电平，则与其连接的 CE# 为低电平 ，使能nand flash 。
同理，禁止片选只要将MODE位写0就好了
代码配置如下：
void nand_delay(void)
{volatile unsigned int i;for (i = 0; i < 10; i++);
}
void nand_select(void)
{/*使能片选 bit 1 为 1 */NFCONT &= ~(1 << 1);nand_delay();
}
void nand_deselect(void)
{/*禁止片选 bit 1 为 1 */NFCONT |= (1 << 1);
}
5 . I/O 0~7 地址/命令/数据
我们只需要读或者写相应的2440寄存器,nandflash控制器就可以自动完成对nandflash的操作
来看一下2440中的这三个寄存器
所以代码编写如下：
//写命令
void nand_cmd(unsigned char cmd)
{NFCMD = cmd;nand_delay();
}
//写地址
void nand_addr_byte(unsigned char addr)
{NFADDR = addr;nand_delay();
}
//读数据
unsigned char nand_data(void)
{return NFDATA;
}
//写数据
void nand_w_data(unsigned char val)
{NFDATA = val;
}
我们还需要判断nandflash的状态,以判断操作是否完成：
void nand_wait_ready(void)
{while (!(NFSTAT & 1));
}
地址发送的形式：
进一步封装写地址的函数，封装成三类；如下：
void nand_addr(unsigned int addr)
{unsigned int col = addr % 2048;unsigned int page = addr / 2048;NFADDR = col & 0xff;nand_delay();NFADDR = (col >> 8) & 0xff;nand_delay();NFADDR = page & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 8) & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 16) & 0xff;nand_delay();
}void nand_page(unsigned int page)
{NFADDR = page & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 8) & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 16) & 0xff;nand_delay();
}void nand_col(unsigned int col)
{NFADDR = col & 0xff;nand_delay();NFADDR = (col >> 8) & 0xff;nand_delay();
}
6 . 坏块检测
对于每个page的数据区为2KB的nandflash,其坏块标记是一次标记一个block到该block的第一个page的oob区的第一个和第二个字节，0xff表示正常，其它值表示错误。读取校验的的时候需要block对齐，在每次读写数据或者擦除操作前都需要判断当前所在块的好坏
int nand_bad(unsigned int addr)
{unsigned int col = 2048;unsigned int page = addr / (2048 * 1024);unsigned char val;/* 1. 选中 */nand_select();/* 2. 发出读命令00h */nand_cmd(0x00);/* 3. 发出地址(分5步发出) */nand_col(col);nand_page(page);/* 4. 发出读命令30h */nand_cmd(0x30);/* 5. 判断状态 */nand_wait_ready();/* 6. 读数据 */val = nand_data();/* 7. 取消选中 */nand_deselect();if (val != 0xff)return 1; /* bad blcok */elsereturn 0;
}
7 . 数据读取
nandflsh 时序如下：
在每次读数据前都需要判断当前所在块的好坏：
void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{/* 定位当前待读取的列地址 */unsigned int column = addr % 2048;unsigned int cnt = 0; //累计已读字节长度/*cnt没读够len时，每发出一遍命令后，column一次最多只能遍历一个page的data区 ，当超出一个page时需要再发一遍读命令*/while (cnt < len){if (nand_bad(addr)) /* 一个block只判断一次 */{addr += (128 * 1024); /* 跳过当前block */continue; /* 之所以加continue，是因为跳过当前block的下一个block也需要读oob区来判断好坏，continue结束当前循环，进入下一次去判断 */}/* 使能片选 */nand_select();/*发出00命令*/nand_cmd(0x00);/* 发出地址(分5步发出) */nand_addr(addr);/*发出30命令*/nand_cmd(0x30);/* 等待就绪 */nand_wait_ready();/*在累计读取次数cnt不够目标次数len的前提下(while)，column只要未超出单个page的data区就可以继续读 */for (column = 0; (column < 2048) && (cnt < len); column++){buf[cnt++] = nand_data();addr++; //addr累加}//跳出for后的addr只能是2048的倍数，在下一个nand_addr(addr);会自动回车换行指向下一个page的起始地址/*禁止片选*/nand_deselect();}
}
为了方便调用和信息交互，我们进一步对其进行封装：每次读取并打印64个字符
void do_read_nand_flash(void)
{unsigned int i = 0, j = 0;unsigned char read_buf[64] = {0};volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)read_buf;unsigned int addr = 0;printf("Enter the start address to read:");addr = get_uint();nand_read(addr, read_buf, 64);for (i = 0; i < 4; i++){for (j = 0; j < 16; j++){printf("%02x ", *p++);}printf(" ;");for (p -= 16, j = 0; j < 16; j++, p++){/* 后打印字符 */if (*p < 0x20 || *p > 0x7e) /* 不可视字符 */{putchar('.');}elseputchar(*p);}printf("\n\r");}
}
8 . 数据写入
nandflsh 时序如下：
每次写前，需要判断当前要写入的快是否为好块
char nand_write(unsigned int addr, unsigned char *write_buf, unsigned int len)
{if (nand_bad(addr)) /* 一个block只判断一次 */{printf("this block is bad !\n\r");return -1;}unsigned int page = addr / 2048;unsigned int column = addr % 2048;unsigned int cnt_Byte = 0;while (cnt_Byte < len){nand_select();nand_cmd(0x80);/* 发出地址(分5步发出) */nand_addr(addr);/* 发出数据 */for (; (column < 2048) && (cnt_Byte < len);){nand_w_data(write_buf[cnt_Byte++]);}nand_cmd(0x10);nand_wait_ready();nand_deselect();cnt_Byte += 2048;if (cnt_Byte == len)break;else{column = 0; //类似于回车page++; //类似于换行}}return 0;
}
为了方便调用和信息交互，我们进一步对其进行封装：最多一次支持写100个字符
void do_write_nand_flash(void)
{unsigned int addr;unsigned char str[100];/* 获得地址 */printf("Enter the address of sector to write: \n\r");addr = get_uint();printf("Please enter less than 100 characters to write: ");gets(str);nand_write(addr, str, strlen(str) + 1); //+1，保留'\0'
}
9 . block擦除过程
擦除过程是将0变成1的过程，即充电的过程(比如SLC中，当低于某个电压值表示0，高于这个电压值则表示1；而对于MLC来说可以有多个阈值，所以可以保存更多bit)。擦除过程是按块进行的，但启始地址是页地址，不过擦除过程在内部是有边界对齐的，也就是说当擦除启始地址不是块对齐时，只能擦除本块，而不能垮越到第二个块继续擦除，也就是无论我们给的地址是否页对齐，本块都将擦除，不会有任何保留。
需要注意的是：块擦除时每一页的oob区也同时被擦除掉了,所以一般擦除前先读取块的第一页的两个字节看是否为0xff，不是的话就不要擦除，0xff表示正常，其它值表示错误，否则将会擦掉所有坏块信息，尤其是出厂时写入的。
nandflsh 时序如下：
char nand_erase_block(unsigned int addr, unsigned int len)
{unsigned int page = 0;unsigned int cnt_Byte = 0;page = addr / 2048;if (nand_bad(addr)) /* 一个block只判断一次 */{printf("this block is bad !\n\r");return -1;}/* 如果page或者len不是block的整数倍，则提醒并返回 */if (page % 64 || len % (2 * 64 * 1024)){printf("nand_erase err, addr is not block align\n\r");return -1;}/* 即便是对齐也再强制对齐一遍 */else{page = (page >> 6) << 6; //保证起始擦除地址是64page即block对齐的(二的六次方)}while (cnt_Byte < len){nand_select();nand_cmd(0x60);nand_page(page);nand_cmd(0xd0);nand_wait_ready();nand_deselect();cnt_Byte += (64 * 2 * 1024);if (cnt_Byte == len) //如果查出的长度达到len,则停止下一次除break;else //否则，继续下一次的擦除page += 64;}return 0;
}
为了方便调用和信息交互，我们进一步对其进行封装：每次调用一次擦除一个block
void do_erase_nand_flash(void)
{unsigned int addr;/* 获得地址 */printf("Enter the address of block to erase: \n\r");addr = get_uint();if (nand_erase_block(addr, (64 * 2 * 1024)) == 0){printf("erase is ok\n\r");}elseprintf("erase is fail\n\r");//最小擦除单位为一个block
}
10 . 软件获取芯片ID
在前面 SLC和MLC 部分，我们说到了read ID 命令，现在具体实现一下：
我们主要关心nandflash第四个数据中包含的信息：
void nand_chip_id(void)
{unsigned char id_data[5] = {0};unsigned char i;nand_select();nand_cmd(0x90);nand_addr_byte(0x00);for (i = 0; i < 5; i++){id_data[i] = nand_data();nand_delay();}nand_deselect();printf("Maker Code: 0x%x\n\r", id_data[0]);printf("Device Code: 0x%x\n\r", id_data[1]);printf("3th cyc: 0x%x\n\r", id_data[2]);printf("4th cyc: 0x%x\n\r", id_data[3]);printf("page size: %d KBytes\n\r", 1 << (id_data[3] & 0x03));printf("block size: %d KBytes\n\r", 64 << ((id_data[3] >> 4) & 3));printf("5th cyc 0x%x\n\r", id_data[4]);
}
经测试串口返回信息如下：
六、NAND操作菜单汇总及串口输出测试
有了以上这些函数，我们可以进一步封装调用，实现菜单操作：
void nand_flash_test(void)
{/* 打印菜单，供我们选择测试内容*//* 测试内容：* 1.识别nand flash* 2.擦除nand flash 摸个扇区* 3.编写某个地址* 4.读某个地址*/while (1){char c;printf("[s] Scan nand flash id\n\r");printf("[e] Erase nand flash\n\r");printf("[w] Write nand flash\n\r");printf("[r] Read nand flash\n\r");printf("[q] Quit nand flash\n\r");printf("Enter selection\n\r");c = getchar();/* 回车 换行 回显*/printf("%c\n\r", c);switch (c){case 'q':case 'Q':return;break;case 's':case 'S':nand_chip_id();break;case 'e':case 'E':do_erase_nand_flash();break;case 'w':case 'W':do_write_nand_flash();break;case 'r':case 'R':do_read_nand_flash();break;}}
}测试顺序如下：
依次：
read ID
read data
erase block
read data
write data
read data
测试效果如图：
七、代码汇总
为了方便大家的测试和使用，将nandflash.c 的代码整理如下，
来源：韦东山老师
SOC: 2440
NandFlash : K9F2G08U0C
#include "s3c2440_soc.h"
#include "my_printf.h"
#include "nand_flash.h"
#include "include/string.h"
#include "string_utils.h"#define TACLS 0
#define TWRPH0 1
#define TWRPH1 0void nand_delay(void)
{volatile unsigned int i;for (i = 0; i < 10; i++);
}
void nand_init(void)
{/*设置NAND FLASH 的时序 */NFCONF = (TACLS << 12) | (TWRPH0 << 8) | (TWRPH1 << 4);/* 设置NAND FLASH 控制器 */NFCONT = (1 << 4) | (1 << 1) | (1 << 0);
}
void nand_select(void)
{/*使能片选 bit 1 为 1 */NFCONT &= ~(1 << 1);nand_delay();
}
void nand_deselect(void)
{/*禁止片选 bit 1 为 1 */NFCONT |= (1 << 1);
}void nand_cmd(unsigned char cmd)
{NFCMD = cmd;nand_delay();
}
void nand_addr_byte(unsigned char addr)
{NFADDR = addr;nand_delay();
}
unsigned char nand_data(void)
{return NFDATA;
}
void nand_w_data(unsigned char val)
{NFDATA = val;
}
void nand_wait_ready(void)
{while (!(NFSTAT & 1));
}void nand_addr(unsigned int addr)
{unsigned int col = addr % 2048;unsigned int page = addr / 2048;NFADDR = col & 0xff;nand_delay();NFADDR = (col >> 8) & 0xff;nand_delay();NFADDR = page & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 8) & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 16) & 0xff;nand_delay();
}void nand_page(unsigned int page)
{NFADDR = page & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 8) & 0xff;nand_delay();NFADDR = (page >> 16) & 0xff;nand_delay();
}void nand_col(unsigned int col)
{NFADDR = col & 0xff;nand_delay();NFADDR = (col >> 8) & 0xff;nand_delay();
}int nand_bad(unsigned int addr)
{unsigned int col = 2048;unsigned int page = addr / (2048 * 1024);unsigned char val;/* 1. 选中 */nand_select();/* 2. 发出读命令00h */nand_cmd(0x00);/* 3. 发出地址(分5步发出) */nand_col(col);nand_page(page);/* 4. 发出读命令30h */nand_cmd(0x30);/* 5. 判断状态 */nand_wait_ready();/* 6. 读数据 */val = nand_data();/* 7. 取消选中 */nand_deselect();if (val != 0xff)return 1; /* bad blcok */elsereturn 0;
}void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{/* 定位当前待读取的列地址 */unsigned int column = addr % 2048;unsigned int cnt = 0; //累计void nand_chip_id(void)
{unsigned char id_data[5] = {0};unsigned char i;nand_select();nand_cmd(0x90);nand_addr_byte(0x00);for (i = 0; i < 5; i++){id_data[i] = nand_data();nand_delay();}nand_deselect();printf("Maker Code: 0x%x\n\r", id_data[0]);printf("Device Code: 0x%x\n\r", id_data[1]);printf("3th cyc: 0x%x\n\r", id_data[2]);printf("4th cyc: 0x%x\n\r", id_data[3]);printf("page size: %d KBytes\n\r", 1 << (id_data[3] & 0x03));printf("block size: %d KBytes\n\r", 64 << ((id_data[3] >> 4) & 3));printf("5th cyc 0x%x\n\r", id_data[4]);
}/*cnt没读够len时，每发出一遍命令后，column一次最多只能遍历一个page的data区 ，当超出一个page时需要再发一遍读命令*/while (cnt < len){if (nand_bad(addr)) /* 一个block只判断一次 */{addr += (128 * 1024); /* 跳过当前block */continue; /* 之所以加continue，是因为跳过当前block的下一个block也需要读oob区来判断好坏，continue结束当前循环，进入下一次去判断 */}/* 使能片选 */nand_select();/*发出00命令*/nand_cmd(0x00);/* 发出地址(分5步发出) */nand_addr(addr);/*发出30命令*/nand_cmd(0x30);/* 等待就绪 */nand_wait_ready();/*在累计读取次数cnt不够目标次数len的前提下(while)，column只要未超出单个page的data区就可以继续读 */for (column = 0; (column < 2048) && (cnt < len); column++){buf[cnt++] = nand_data();addr++; //addr累加}//跳出for后的addr只能是2048的倍数，在下一个nand_addr(addr);会自动回车换行指向下一个page的起始地址/*禁止片选*/nand_deselect();}
}char nand_erase_block(unsigned int addr, unsigned int len)
{unsigned int page = 0;unsigned int cnt_Byte = 0;page = addr / 2048;if (nand_bad(addr)) /* 一个block只判断一次 */{printf("this block is bad !\n\r");return -1;}/* 如果page或者len不是block的整数倍，则提醒并返回 */if (page % 64 || len % (2 * 64 * 1024)){printf("nand_erase err, addr is not block align\n\r");return -1;}/* 即便是对齐也再强制对齐一遍 */else{page = (page >> 6) << 6; //保证起始擦除地址是64page即block对齐的(二的六次方)}while (cnt_Byte < len){nand_select();nand_cmd(0x60);nand_page(page);nand_cmd(0xd0);nand_wait_ready();nand_deselect();cnt_Byte += (64 * 2 * 1024);if (cnt_Byte == len) //如果查出的长度达到len,则停止下一次除break;else //否则，继续下一次的擦除page += 64;}return 0;
}
char nand_write(unsigned int addr, unsigned char *write_buf, unsigned int len)
{if (nand_bad(addr)) /* 一个block只判断一次 */{printf("this block is bad !\n\r");return -1;}unsigned int page = addr / 2048;unsigned int column = addr % 2048;unsigned int cnt_Byte = 0;while (cnt_Byte < len){nand_select();nand_cmd(0x80);/* 发出地址(分5步发出) */nand_addr(addr);/* 发出数据 */for (; (column < 2048) && (cnt_Byte < len);){nand_w_data(write_buf[cnt_Byte++]);}nand_cmd(0x10);nand_wait_ready();nand_deselect();cnt_Byte += 2048;if (cnt_Byte == len)break;else{column = 0; //类似于回车page++; //类似于换行}}return 0;
}
void do_read_nand_flash(void)
{unsigned int i = 0, j = 0;unsigned char read_buf[64] = {0};volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)read_buf;unsigned int addr = 0;printf("Enter the start address to read:");addr = get_uint();nand_read(addr, read_buf, 64);for (i = 0; i < 4; i++){for (j = 0; j < 16; j++){printf("%02x ", *p++);}printf(" ;");for (p -= 16, j = 0; j < 16; j++, p++){/* 后打印字符 */if (*p < 0x20 || *p > 0x7e) /* 不可视字符 */{putchar('.');}elseputchar(*p);}printf("\n\r");}
}
void do_write_nand_flash(void)
{unsigned int addr;unsigned char str[100];/* 获得地址 */printf("Enter the address of sector to write: \n\r");addr = get_uint();printf("Please enter less than 100 characters to write: ");gets(str);nand_write(addr, str, strlen(str) + 1); //+1，保留'\0'
}void do_erase_nand_flash(void)
{unsigned int addr;/* 获得地址 */printf("Enter the address of block to erase: \n\r");addr = get_uint();if (nand_erase_block(addr, (64 * 2 * 1024)) == 0){printf("erase is ok\n\r");}elseprintf("erase is fail\n\r");//最小擦除单位为一个block
}
void nand_flash_test(void)
{/* 打印菜单，供我们选择测试内容*//* 测试内容：* 1.识别nand flash* 2.擦除nand flash 摸个扇区* 3.编写某个地址* 4.读某个地址*/while (1){char c;printf("[s] Scan nand flash id\n\r");printf("[e] Erase nand flash\n\r");printf("[w] Write nand flash\n\r");printf("[r] Read nand flash\n\r");printf("[q] Quit nand flash\n\r");printf("Enter selection\n\r");c = getchar();/* 回车 换行 回显*/printf("%c\n\r", c);switch (c){case 'q':case 'Q':return;break;case 's':case 'S':nand_chip_id();break;case 'e':case 'E':do_erase_nand_flash();break;case 'w':case 'W':do_write_nand_flash();break;case 'r':case 'R':do_read_nand_flash();break;}}
}NandFlash 驱动分析与基础功能实现相关推荐
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