方案名称

远翔DC-DC电源管理大功率升压恒压芯片FP5207B DFN-10L(EP)封装 带软启动可调频率可调

芯片概述

FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片,外置N沟MOS驱动,与肖特基和电感形成回路组成升压架构;工作电压低至2.8V启动,可适用已单节电池供电,高至24V宽压工作,甚至可通过外部三极管稳压高压供电;恒压基准(VFB)为1.2V±2%,电压高误差小,提高输出的准确度;工作频率(RT)可调为100-1000KHz,可根据需求调整频率段;软启动(SS)可调,可根据需要启动时间来调整。

芯片特色

效率高达90%以上

低功耗,芯片关机功耗最低3uA

启动电压2.8V,稳定工作电压5-24V,扩展电压为24-48V

恒压基准值为1.2V±2%

工作频率100-1000KHz

芯片软启动可调(SS)

芯片输入具有可调过流保护(OCP)

芯片输入低压保护(UVP)

芯片具有过温保护(OTP)

脚位描述

线路图

应用元件

C1、C7:输入与输出稳压电容。

C2、C6、C8:高频噪声滤波电容。

C3:输入电源接 HVDD 经过内部稳压管到 VDS 产生 8V,此电压会提供内部电路与 EXT Pin驱动外部 Q2 的闸极,需要加稳压电容。

C4、C5、C13、R1、R5:系统的补偿回路,关系到系统的稳定度。

C17:软启动电容,改变电容值调整启动时间。

L1:电感具有储能与滤波功用,感值越大电感涟波越小,相对感值越小涟波越大。选用电感需注意电感是否适合高频操作,及电感额定饱和电流值。

D1:当 Q2 截止时,D1 萧特基管导通提供电感放电回路。

Q2:使用内阻低的 NMOS,Drain 端高电压等于输出 19V,耐压选用 19V 的 1.5 倍。

R3:Vin 与 EN 之间接 200kΩ,自动启动 IC。

R6:调整工作频率电阻。

R11、R12:分压电阻设定输出电压。

R8:预留作为 EMI 对策。

Rcs:电感峰值电流检测与过电流保护电阻。

PCB图片

注意事项:

大电流路径走线要粗,铺铜走线最佳。

开关切换连接点 L1、Q2 的 Drain 端与 D1,走线要短与粗,铺铜走线最佳。

输入电容 C6 靠近 HVDD 与 GND Pin,达到稳压与滤波功效。

分压电阻 R11/R12 靠近 FB 与 GND Pin。

FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1,避免受到干扰。

输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地,铺铜走线,上下层地多打洞连接。

输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地,可以降低开关切换突波,降低输出高频噪声。

Rcs 靠近 CS 与 GND pin。

板子多余空间建议铺地。

调频曲线

调频公式

可调限流

限流公式

软启动公式

FP5207B规格书资料
https://download.csdn.net/download/yasemi11/86403735?spm=1001.2014.3001.5503

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