BTS3410G参数

BTS3410G是集智能SIPMOS技术制造而成的N沟道垂直功率场效应晶体管FET，低压侧、2路输出、输入电压10V、电流极限7.5A、封装类型SOIC-8，来自国际品牌英飞凌（Infineon）。接下来重点详述BTS3410G场效应晶体管FET的特性、参数、应用，带您走进BTS3410G的“世界”！

BTS3410G场效应管特性

逻辑电平输入
自动重启热开关
符合ROHS标准
过载、短路、过电压、ESD保护
电流限制
模拟驱动

BTS3410G场效应管参数

Drain source voltage漏源电压：42V
on-state resistance导通状态电阻：200mΩ
Nominal load current额定负载电流：1.3A
Clamping energy钳位能量：150mJ
Automobile quality standard汽车质量标准：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G场效应管应用

适用于开关或线性应用中的各种阻性、感性和容性负载；
μC兼容电源开关，适用于12V DC应用；
取代机电继电器和分立电路

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