半导体器件特性曲线测试方法及半导体二极管特性的研究

实验步骤:

1.下载完成后打开Multisim软件

2.开始实验

⑴利用IV分析仪测量二极管的伏安特性

①在元器件中点击“放置二极管→DIODE→1N4148”;

②在右侧工具栏中选中“IV分析仪”，并连线

③双击IV分析仪在“仿真参数”中参考书上设置参数;\n\n注意:“电流范围”和“”电压范围”要同时选择“线性”

④点击运行按钮进行运行，即可得到所示二极管的伏安特性曲线。

(2)晶体管的输出特性曲线

按（1）步骤执行，首先选择“MJ13333“晶体管和IV分析仪

其次设置参数，点击运行，得到所示晶体管的输出特性曲线。

（3）比较直流电源在1V和4V两种情况下二极管的直流管压降

步骤同上，注意：对照书上设置相应的参数，且变换直流电源的电压值分别为1V和4V得到不同的图像。

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