一、实验前提

Cadence以及虚拟机的安装、工艺库文件的导入

二、实验内容：

分别仿真NMOS、PMOS以及NMOS和PMOS并联的电阻情况

三、实验原理：

通过欧姆定律R=U/I分别测得NMOS、PMOS以及CMOS随漏源电压变化的曲线。

四、实验步骤：

1、绘制原理图

点击鼠标右键-add instance-browse-选择要添加的器件-view选择symbol-点击hide-将器件放置在原理图上，按要求放置连接各器件，完成原理图的绘制。

2、进行DC仿真

（1）点击Launch-ADE L，启动仿真

（2）设置仿真条件

设置仿真工艺文件Setup-Model Library
设置仿真的其他条件

（3）设置变量

Variables-> Copy from cellview, 双击变量Vin，将Value值设置为1V

（4） DC扫描设置

ADE 界面选择 Analysis->Choose，弹出菜单中进行仿真分析设置。在 Sweep Variable 中选择需要扫描的参数。MOS 管 IV 特性仿真选择 Design Variable，并设置 Variable Name
在 MOS 管电阻特性仿真中，我们要进行的是大信号直流分析(DC Analysis)。选择扫描的变量（上图 Sweep Variable-> Design Variable-> Variable Name）是仿真输出的X轴Sweep Range和 Sweep Type 根据需要设置范围和输出结果的精度。例子中 Vin 从 0.7 到 3V，按照线性变化，步进 0.001V，即输出 2300 个点对应的R

（5）输出设置

ADE 界面选择 Outputs->Setup

点击open打开计算器，在计算器中获得阻值的计算公式

点击vs和is来获取电压和电流。选择电流时，点击器件或器件的端子；选择电压时点击相应连线。并通过四则运算获得公式

在上一步打开的setting outputs中点击get expression将求得的公式copy过来并设置变量名为Rnmos，点击ok确认，Rnmos就会出现在输出列表里，同理设置变量Rpmos和Rcmos。

（6）点击netlist and run产生网表并运行，得到MOS管电阻的驼峰曲线。

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二、实验内容：

三、实验原理：

四、实验步骤：

1、绘制原理图