Flash Rom存储器W25Q16/W25X16
认识Flash Rom
FlashRom 是快速擦写只读存储器，也就是我们常说的“闪存”，单片机程序存储器就是Flash Rom，所谓“闪存”，就是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块对数据进行擦写操作，芯片容量大（W25Q16容量2M字节），而EEPROM则可以对单个字节进行操作，芯片容量较小（24c512容量65536字节）。前者容量是后者容量的32倍。另外Flash Rom比EEPROM具有更高的读写速度，芯片价格基本一致，W25Q16零售价3.5元。FlashRom除用于共业领域外，在消费电子产品中运用也非常广泛，比如常见的U盘，SD卡，CF卡等存储设备都是使用的FlashRom作为核心存储器件。
Flash Rom的分类
NOR闪存 INTEL公司首批生产
NAND闪存 日立公司首批生产，比NOR闪存的写周期短90%，保存删除数据速度都较快，广泛用于SD卡、XD卡、SM卡、CF卡等存储卡上。
如果用来存储少量的数据，这时NOR闪存更适合一些，而NAND闪存则是高资料密度的理想解决方案。比如单片机的程序存储器就是Flash Rom中的NOR闪存，常见的存储卡或U盘使用的是NAND闪存。
认识W25X16/ W25Q16
这里以W25X16介绍为主，W25Q16兼容W25X16，并且性能更佳，W25Q16保持了与W25X系列功能与管脚的完全兼容，并增加了双/四输入输出等高效功能。W25Q的时钟频率达到了80MHz，等效读取(连续)速率为每秒320兆位(40兆字节), 这是标准50MHz串行闪存传输速率的六倍以上。与此同时，W25Q将每个读指令需要的时钟数目从40个减少到12个，进一步减少了70%的“随机读取”的指令负荷。W25Q16零售价3.5元。它们属与NOR型闪，用量较多的还是贴片封装，这样可以减小印制板面积。
W25X16有16Mbit存储位，
因为1024bit就是1K, 16Mbit =1610241024=16 777 216 bit，从手册存储器结构图可以看出W25X16的最大地址值是1FFFFFH，24位地址高3位固定为0（W25X64才需用到最高3位），只有21位有效地址，2的21次方=2097152字节，2097152个字节正好存储16 777 216bit，这里的地址都是以字节为最小单位的。
W25X16分为8192页，每页256字节，用“页编程指令”每次就可以编程256字节，用“扇区擦除指令”每次可擦除16页，用“块擦除指令”每次可擦除256页，用“整片擦除指令”可一次擦除整个芯片，W25X16有512个可擦除扇区或32个可擦除块。对于W25X16，1页=256字节，归纳一下，
1页=256字节
1扇区=16页=16256字节=4096字节 (W25X16有512个扇区)。
1块=256页=256256字节=65536字节 (W25X16有32块)。
它采用标准SPI接口与单片机进行通信，最大时钟速率75M。W25X16引脚排列如下图所示。
| 引脚号 | 引脚名称 | 输入输出类型（I/O） | 功能 |
|---|---|---|---|
| 1 | /CS | I | 片选，低电平工作，高电平时DO脚高阻 |
| 2 | DO | O | 数据输出，下降沿输出 |
| 3 | /WP | I | 写保护，低电平保护状态寄存器不被改写 |
| 4 | GND | 地 | |
| 5 | DIO | I/O | 数据输入/输出 |
| 6 | CLK | I | 时钟 |
| 7 | /HOLD | I | 保持，低电平保持 |
| 8 | VCC | 电源，2.7-3.6V |
说明：
5脚（DIO）:在普通方式下，这个引脚是串行输入引脚(DI)，数据、地址和命令通过此引脚送到芯片内部，在CLK引脚的上升沿捕获。当使用了“快读双输出指令”时，这个引脚就变成了DO引脚，这种情况下，芯片就有了2个DO引脚，所以叫做双输出，这时芯片的通信速度相当于翻了一倍，所以传输速度更快。
7脚（/HOLD）:保持引脚，当/CS片选为低电平，且HOLD为低电平时，DO引脚处于高阻态，而且会忽略DIO和CLK引脚上的信号，把HOLD拉高，器件恢复正常工作，当芯片与多个其它芯片共享单片机上的同一个SPI接口时，此引脚就显得非常有用，通常此引脚接高电平保证芯片正常工作。
什么都不用做，直接连接就是了。w25的端口兼容5伏的。用个1117–3.3V的就能共用5V，或5V的用两个二级管降压后得3.6V也和3.3V很接近可以用。
W25X16内部状态寄存器（上电复位时，各位都被清零）
| bit7 | bit6 | bit5 | bit4 | bit3 | bit2 | bit1 | bit0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPR | 保留位（0） | TB | BP2 | BP1 | BP0 | WEL | BUSY |
| BUSY忙位： |
|---|
| 只读位，在芯片执行“页编程”，“扇区擦除” 、“块擦除”、 “芯片擦除”、 “写状态寄存器”指令时，该位自动置1，此时除了“读状态寄存器”指令，其它指令都无效，当编程、擦除和写状态寄存器指令执行完毕后，该为自动变0，表示芯片可以接收其它指令了。 |
| WEL写保护位： |
|---|
| 只读位，写操作允许标志位，当执行完写使能指令后，该位为1表示允许写操作，为0表示禁止写，当芯片掉电后或执行写禁止、页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写状态寄存器命令后自动进入写保护状态。 |
| BP2、BP1、BP0块保护位： |
|---|
| 可读写位，用于块区保护，可用写状态寄存器命令修改这几位，为这3位为0时，块区无保护，当SPR位为1或/WP脚为低时，这3位无法更改。 |
| TB 底部顶部块保护位： |
|---|
| 可读写位，用于底部顶部块保护，可用写状态寄存器命令修改这1位，当这1位为0时，底部顶部块区无保护，当SPR位为1或/WP脚为低时，这1位无法更改。 |
| SPR状态寄存器保护位： |
|---|
| 可读写位，意义如下表 |
| SPR | /WP | 状态寄存器 |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 可读写 |
| 0 | 1 | 可读写 |
| 1 | 0 | 无法读写 |
| 1 | 1 | 可读写 |
W25X16包括15个基本指令，通过这15个基本指令与SPI总线就完全可以控制芯片，指令在/CS拉低后开始传送，DIO引脚上数据的第一个字节就是指令码，在CLK引脚的上升沿采集DIO数据，高位在前。
指令的长度从1个字节到多个字节，有时还会跟随地址字节、数据字节、伪字节，有时候还会是它们的组合，在/CS引脚的上升沿完成指令的传输，所有的读指令都可以在任意时钟位完成，而所有的写、编程和擦除指令在一个字节的边界后才能完成，否则，指令将不起作用，这个特征可以保护芯片不被意外写入，当芯片正在被编程、擦除或写状态寄存器的时候，除“读状态寄存器”指令，其它所有指令都将被忽略直到擦写周期结束。
| 指令名称 | 字节1 | 字节2 | 字节3 | 字节4 | 字节5 | 字节6 | 下一个字节 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 写使能 | 06H | ||||||
| 写禁止 | 04H | ||||||
| 读状态寄存器 | 05H | (S7～S0) | |||||
| 写状态寄存器 | 01H | S7～S0 | |||||
| 读数据 | 03H | A23～A16 | A15～A8 | A7～A0 | (D7～D0) | 下一个字节 | 继续 |
| 快读 | 0BH | A23～A16 | A15～A8 | A7～A0 | 伪字节 | D7～D0 | 下一个字节 |
| 快读双输出 | 3BH | A23～A16 | A15～A8 | A7～A0 | 伪字节 | I/O=(D6,D4,D2,D0) O=(D7,D5,D3,D1) | 每4个时钟1个字节 |
| 页编程 | 02H | A23～A16 | A15～A8 | A7～A0 | (D7～D0) | 下个字节 | 直到256个字节 |
| 块擦除(64K) | D8H | A23～A16 | A15～A8 | A7～A0 | |||
| 扇区擦除(4K) | 20H | A23～A16 | A15～A8 | A7～A0 | |||
| 芯片擦除 | C7H | ||||||
| 掉电 | B9H | ||||||
| 释放掉电/器件ID | ABH | 伪字节 | 伪字节 | 伪字节 | (ID7～ID0) | ||
| 制造器件ID | 90H | 伪字节 | 伪字节 | 00H | (M7～M0) | (ID7～ID0) | |
| JEDEC ID | 9FH | (M7～M0) | (ID15～ID8) | (ID7～ID0) |
说明：数据高位在前，带括号的数据表示数据从DO引脚读出。
写使能06H:
写使能指令将会使状态寄存器WEL位置位，在执行每个“页编程”、“扇区擦除”、“块擦除”、“芯片擦除”和“写状态寄存器”命令之前，都要先置位WEL,/CS脚先拉低之后，“写使能”指令码06H从DIO引脚输入，在CLK上升沿采集，然后再拉高/CS引脚。
写禁止04H:
时序与写使能相同，执行完“页编程”、“扇区擦除”、“块擦除”、“芯片擦除”和 “写状态寄存器”命令之后WEL位会自动变0，即自动进入写禁止状态。
读状态寄存器05H
当/CS拉低之后，开始把05H从DIO引脚送入芯片，在CLK的上升沿数据被芯片采集，当芯片认出采集到的数据是05H时，芯片就会把“状态寄存器”的值从DO引脚输出，数据在CLK的下降沿输出，高位在前。
读状态寄存器指令在任何时候都可以用，甚至在编程、擦除、写状态寄存器的过程中也可以用，这样就可从状态寄存器的BUSY位判断编程、擦除、写状态寄存器周期是否结束，从而让我们知道芯片是否可以接收下一指令，如果/CS不被拉高，状态寄存器的值将一直从DO脚输出，当/CS拉高后，该指令结束。读状态寄存器时序如下图所示。
写状态寄存器01H
在执行写状态寄存器指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把01H从DIO引脚送入芯片，然后再把需要的状态寄存器的值送入芯片，拉高/CS，指令结束，如果此时没把/CS脚拉高，或者是拉得晚了，值将不会被写入，指令无效。
读数据03H
读数据指令允许读取一个或多个字节，先将/CS拉低，把03H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位地址送入芯片，这些数据在时钟的上升沿被芯片采集，芯片收到24位在CLK引脚的下降沿从DO引脚输出，高位在前。当读完这个地址的数据后，地址自动增加，然后通过DO引脚把下一个地址的数据输出，也就是说，只要CLK在工作，通过一条指令就可把整个芯片储存区的数据全部读出来，把/CS脚拉高，“读数据”指令结束，当芯片在执行编程、擦除和读状态寄存器指令的周期内，“读数据”指令无效。
页编程02H
在执行页编程指令以前，需要先擦除整个待写入区域，保证待写入区域全为1，然后按“写使能时序”执行完“写使能”指令，再把/CS拉低，将02H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位地址送入芯片，然后接着送要写入的字节到芯片，在写完数据后，把/CS拉高。写完一页后必须把地址改为0，不然的话，如果时钟还在继续，地址将自动变为页的开始地址，如果写入的字节不足256个字节的话，其它写入的字节都是无意义的，如果写入的字节大于256字节，多余的字节加上无用的字节覆盖刚刚写入的256字节，所以需要保证写入的字节小于或等于256字节。如果写入的地址处于写保护状态，“页编程”指令无效。
扇区擦除20H
扇区擦除指令将一个扇区(4096字节)擦除，擦除后扇区字节都为FFH，在执行扇区擦除指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把20H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位扇区地址送入芯片，然后拉高/CS，指令结束，如果此时没及时把/CS脚拉高，指令将不起作用。如果擦除的地址处于写保护状态，“扇区擦除”指令无效。
块擦除D8H
块擦除指令将一个块(65536字节)擦除，擦除后扇区字节都为FFH，在执行块擦除指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把D8H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位扇区地址送入芯片，然后拉高/CS，指令结束，如果此时没及时把/CS脚拉高，指令将不起作用。如果擦除的地址处于写保护状态，“块擦除”指令无效。
芯片擦除C7H
芯片擦除指令将整个芯片储存区擦除，擦除后整个芯片储存区字节都为FFH，在执行芯片擦除指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把C7H从DIO引脚送入芯片，然后拉高/CS，指令结束，如果此时没及时把/CS脚拉高，指令将不起作用。任何一个块处于写保护状态，“块擦除”指令无效。
| 时序图： |
|---|
|
|
实例：W25Q16读写500个数据
电路如下图所示，由于W25Q16工作电源是2.7-3.6V，要求IO口电压最大值不能超过VCC+0.4V,因此使用了下面的电平转换电路将单片机输出的5V信号电压转换为W25Q16可以接受的3V信号电压，实际运用中W25Q16的供电建议使用低压差稳压芯片ASM1117-3.3。
程序功能说明：单片机上电后向芯片写入500个数据，然后读出这500个数据并通过串口发送给计算机，通过STC下载程序的串口助手即可看到单片机返回的结果。在程序发送的过程中P1.0连接的LED不断闪烁，直到数据发送完毕。
/// MAIN.C ///
// ----W25X系统Flash读写-----
#include "W25Q16.H"
sbit P10=P1^0;
//********************************************************OK
void delay500ms(void)
{unsigned char i,j,k;for(i=15;i>0;i--) //注意后面没分号for(j=202;j>0;j--) //注意后面没分号for(k=81;k>0;k--); //注意后面有分号
}
//***************************************//串行口初始化 OK
void UartInit(void) //9600bps@11.0592MHz
{PCON&= 0x7f; // 波特率不倍速SCON= 0x50; // 8位数据,可变波特率BRT= 0xDC; // 设定独立波特率发生器重装值AUXR|= 0x04; // 独立波特率发生器时钟为Fosc,即1TAUXR|= 0x01; // 串口1选择独立波特率发生器为波特率发生器AUXR|= 0x10; // 启动独立波特率发生器
}
//***************************************************************
void main()
{unsigned int a=0;unsignedint i=0;unsignedchar xdata Send_DATA[500]; // 要发送的数据unsignedchar xdata Rec_DATA[500]; // 已接收的数据delay500ms(); // 等待W25Q16初始化完毕//*************************UartInit(); //串行口初始化.9600bps@11.0592MHz i=0;for(i=0;i<500;i++){Send_DATA=i;Rec_DATA=0; } W25X_SectorErase(0x000000); //4K擦除//************************** SPI_Flash_Write_NoCheck(Send_DATA,0x000000,500); //写N个数SPI_Flash_Read(Rec_DATA,0x000000,500); //读N个数while(1){ SBUF =a; // 发送编号while(TI==0);TI=0;SBUF =Rec_DATA[a] ; // 发送数据while(TI==0);TI=0;delay500ms();P10=!P10;a++;if(a>=500){while(1);}}
}
/// W25Q16.H ///
#ifndef _W25Q16_H_
#define _W25Q16_H_#include"stc12c5a.h"#include<intrins.h> // 包含位移和_nop_();sbitCS = P1^4; // 片选 #defineu8 unsigned char#defineu16 unsigned int#defineu32 unsigned long#defineW25X_ReadStatus 0x05 //读状态寄存器#defineW25X_WriteStatus 0x01 //写状态寄存器#defineW25X_ReadDATA8 0x03 //普读_数据#defineW25X_FastRead 0x0B //快读_数据#defineW25X_DualOutput 0x3B //快读_双输出#defineW25X_Writepage 0x02 //写_数据_0~255个字节#defineW25X_S_Erase 0x20 //扇区擦除4KB#defineW25X_B_Erase 0xD8 //块区擦除64KB#defineW25X_C_Erase 0xC7 //整片格式化#defineW25X_PowerDown 0xB9 //待机#defineW25X_PowerON_ID 0xAB //开机或是读ID#defineW25X_JEDEC_ID 0x9F //十六位的JEDEC_ID#defineW25X_WriteEnable 0x06 //写允许#defineW25X_WriteDisable 0x04 //写禁止voidW25X_SectorErase(unsigned long Addre24); //擦除资料图示的4KB空间voidSPI_Flash_Write_NoCheck(u8 * pbuf,u32 WriteAddr,u16 Len);voidSPI_Flash_Read(u8* pbuf,u32 ReadAddr,u16 Len) ;
#endif
/// W25Q16.C///
#include "SPI.H"
#include "W25Q16.H"
//*************** 写允许（将WEL置位） **************************** OK
void WriteEnable (void)
{CS=0;SPI_WriteByte(W25X_WriteEnable); CS=1;
}
//*************** 写禁止（将WEL清0） **************************** OK
void WriteDisable (void)
{CS=0;SPI_WriteByte(W25X_WriteDisable); CS=1;
}
// 功能：读取W25Q16芯片的状态。
// 返回值：状态寄存器数据字节
// 注：W25X16内部状态寄存器第0位=0表示空闲，0位=1表示忙。
unsigned char W25Q16_ReadStatus()
{unsignedchar status=0;CS=0;SPI_WriteByte(W25X_ReadStatus); // 0x05读取状态的命令字status=SPI_ReadByte(); // 读取状态字节CS=1; // 关闭片选returnstatus;
}
// 功能：写W25Q16芯片的状态寄存器。
// 只有SPR、TB、BP2、BP1、BP0 (bit7、5、4、3、2)可以写、
// 注：W25X16内部状态寄存器第0位=0表示空闲，0位=1表示忙。
void W25Q16_WriteStatus(unsigned char Status)
{CS=0;SPI_WriteByte(W25X_WriteStatus); // 0x01读取状态的命令字SPI_WriteByte(Status); // 写入一个字节CS=1; // 关闭片选
}
//SPI在一页(0~65535)内写入少于256个字节的数据
//在指定地址开始写入最大256字节的数据
//pbuf:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//Len:要写入的字节数(最大256),该数不应该超过该页的剩余字节数!!!
void W25X_Flash_Write_Page(u8* pbuf,u32WriteAddr,u16 Len)
{u16 i;while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); //判断是否忙WriteEnable(); //SET WELCS=0; //使能器件 SPI_WriteByte(W25X_Writepage); //发送写页命令SPI_WriteByte((u8)((WriteAddr)>>16)); //发送24bit地址 SPI_WriteByte((u8)((WriteAddr)>>8)); SPI_WriteByte((u8)WriteAddr); for(i=0;i<Len;i++) //循环写数{SPI_WriteByte(*pbuf++); }CS=1; //取消片选while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); //等待写入结束
}
//无检验写SPI FLASH
//必须确保所写的地址范围内的数据全部为0XFF,否则在非0XFF处写入的数据将失败!
//具有自动换页功能
//在指定地址开始写入指定长度的数据
//pbuf:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//Len:要写入的字节数(最大65535)
void SPI_Flash_Write_NoCheck(u8 * pbuf,u32WriteAddr,u16 Len)
{u16 PageLen; // 页内写入字节长度PageLen=256-WriteAddr%256; // 单页剩余的字节数 （单页剩余空间）if(Len<=PageLen) PageLen=Len; // 不大于256 个字节while(1){W25X_Flash_Write_Page(pbuf,WriteAddr,PageLen);if(PageLen==Len)break; // 写入结束了else{pbuf+=PageLen;WriteAddr+=PageLen;Len-=PageLen; // 减去已经写入了的字节数if(Len>256)PageLen=256; // 一次可以写入256 个字节elsePageLen=Len; // 不够256 个字节了}}
}
//读取SPI FLASH
//在指定地址开始读取指定长度的数据
//pbuf:数据存储区
//ReadAddr:开始读取的地址(24bit)
//Len:要读取的字节数(最大65535)
void SPI_Flash_Read(u8 * pbuf,u32ReadAddr,u16 Len)
{u16 i; while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 判断是否忙 CS=0; // 使能器件 SPI_WriteByte(W25X_ReadDATA8); // 发送读取命令 SPI_WriteByte((u8)((ReadAddr)>>16)); // 发送24bit地址 SPI_WriteByte((u8)((ReadAddr)>>8)); SPI_WriteByte((u8)ReadAddr); for(i=0;i<Len;i++){*pbuf++=SPI_ReadByte(); // 读一个字节 }CS=1; // 取消片选
}
//*************** 4K扇擦除************************OK
//擦除一个扇区
//Dst_Addr:扇区地址 0~511 for w25x16
//擦除一个扇区的最少时间:150ms
void W25X_SectorErase(unsigned long Addr24) //擦除资料图示的4KB空间
{unsignedchar Addr1; // 最低地址字节unsignedchar Addr2; // 中间地址字节unsignedchar Addr3; // 最高地址字节 Addr1=Addr24;Addr24=Addr24>>8;Addr2=Addr24;Addr24=Addr24>>8;Addr3=Addr24; // 把地址拆开来 while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 判断是否忙 WriteEnable(); // 写允许CS=0;SPI_WriteByte(W25X_S_Erase); // 整扇擦除命令SPI_WriteByte(Addr3);SPI_WriteByte(Addr2);SPI_WriteByte(Addr1);CS=1;while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 等待擦除完成
}
//*************** 块擦除/64K页************************* OK
void W25X_BlockErase(unsigned long Addr24) //擦除资料图示的64KB空间
{unsignedchar Addr1; // 最低地址字节unsignedchar Addr2; // 中间地址字节unsignedchar Addr3; // 最高地址字节 Addr1=Addr24;Addr24=Addr24>>8;Addr2=Addr24;Addr24=Addr24>>8;Addr3=Addr24; // 把地址拆开来 while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 判断是否忙 WriteEnable(); // 写允许CS=0;SPI_WriteByte(W25X_B_Erase); // 整扇擦除命令SPI_WriteByte(Addr3);SPI_WriteByte(Addr2);SPI_WriteByte(Addr1);CS=1;while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 等待擦除完成
}
//**************片擦除 ****************** OK
// W25X16：25S W25X32：40S W25X64：40S
void W25X_ChipErase(void)
{while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 判断是否忙 WriteEnable(); // 写允许CS=0;SPI_WriteByte(W25X_C_Erase); // 整片擦除命令CS=1; // 从CS=1时开始执行擦除while(W25Q16_ReadStatus()&0x01); // 等待擦除完成
}
/// SPI.H///
#ifndef _SPI_H_
#define _SPI_H_#include"stc12c5a.h"#include<intrins.h> // 包含位移和_nop_(); sbitSPI_DIO = P1^5; // 只作输入 (单片机 TO 芯片)sbitSPI_DO = P1^6; // 输出 (芯片 TO 单片机)sbitSPI_CLK = P1^7; // 时钟// 片选脚由W25Q16.H定义，W25Q16.C控制voidSPI_WriteByte(unsigned char x); // 读取状态的命令字unsignedchar SPI_ReadByte(); // 读取状态字节
#endif
/// SPI.C ///
#include "SPI.H"
unsigned char bdata dat; //dat是可位寻址的变量
sbit dat7=dat^7;
sbit dat6=dat^6;
sbit dat5=dat^5;
sbit dat4=dat^4;
sbit dat3=dat^3;
sbit dat2=dat^2;
sbit dat1=dat^1;
sbit dat0=dat^0; // 取出dat的各个位
/******************************************************************
- 功能描述：IO模拟SPI，发送一个字节
- 参数说明：x:要发送的字节
- 注：很多情况下，SPI是需要有较高的速度的，此函数中不使用任何循环结构，如for(;;) while等等，并且使用了位寻址就是为了提高速度
******************************************************************/
void SPI_WriteByte(unsigned char x)
{/*----这种使用循环与位运算的实现方式，速度要比直接用位寻址与顺序执行方式实现慢得多
----因为它把大部分的时间花在了循环因子的递增、比较与位运行上了unDIOgnedchar i=0;for(i=0;i<8;i++){SPI_DIO=x&(0x80>>i);SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;}
----------------------------------*/ dat=x; // 将x的值赋给可位寻址的变量dat，以便取出各个位SPI_DIO=dat7; // 取出第7个位，写到数据线上 （高位在前）SPI_CLK=0;SPI_CLK=1; // 时钟线产生上升沿，数据被写入SPI_DIO=dat6;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;SPI_DIO=dat5;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;SPI_DIO=dat4;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;SPI_DIO=dat3;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;SPI_DIO=dat2;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;SPI_DIO=dat1;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;SPI_DIO=dat0;SPI_CLK=0;SPI_CLK=1;
}/******************************************************************
- 功能描述：IO模拟SPI，读取一个字节
- 返回说明：读到的字节
- 注：很多情况下，SPI是需要有较高的速度的，此函数中不使用任何循环结构，如for(;;) while等等，并且使用了位寻址就是为了提高速度
******************************************************************/
unsigned char SPI_ReadByte()
{ /*----这种使用循环与位运算的实现方式，速度要比直接用位寻址与顺序执行方式实现慢得多----因为它把大部分的时间花在了循环因子的递增、比较与位运行上了unDIOgnedchar i=0,temp=0;SPI_DIO=1;for(i=0;i<8;i++){SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;if(SPI_DIO)temp|=0x80>>i;}returntemp;----------------------------------*/SPI_DO=1;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0; // 时钟线产生下降沿，芯片输出数据（高位在前）dat7=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat6=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat5=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat4=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat3=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat2=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat1=SPI_DO;SPI_CLK=1;SPI_CLK=0;dat0=SPI_DO;return(dat);
}
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百度文库一个很详细的介绍....https://wenku.baidu.com/view/7db1401e1a37f111f0855b81.html?from=search (....) 先来简单认识 ...
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