VIPer12A功率开关电源IC

LK VIPer12A AC/DC PWM功率开关

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特点

? 宽电压 85~265Vac 输入

? 待机功耗小于 120mW@220Vac

? 集成高压启动电路

? 集成高压功率开关

? 9V~38V 宽 VDD 工作电压

? 电流模式 PWM 控制方式

? 内置过温、过流、过压、欠压锁

定等保护功能

? 兼容 VIPer12 管脚(不需

要修改电路走线及变压器)

? 封装形式：DIP8、SOP8

应用领域

? 典型电磁炉 BUCK 电路应用方案

? 小功率充电器

? 小功率适配器

? 待机电源

? DVD、DVB 以及其他便携式设备

电源

概述

是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压

启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决

方案。

芯片 VDD 的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。芯片

提供了过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证了系统的可靠性。

管脚图

DIP8 SOP8

输出功率表

输入电压 85Vac～265Vac 180Vac～265Vac

输出功率 8W 13W

注：输出功率 10W 以上，建议根据实际方案增加散热措施：

? 增加独立散热片；

? 其他散热措施。

典型示意电路图

v1.6

LK VIPer12A

LK VIPer12A

LK VIPer12A

LK VIPer12A

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内部方框图

内部电源

产生电路

--

+8V/14.5V

前沿消隐电路

--

+

振荡电路

S

R1

R2 R3

0.23V

S2

R1

Q

Q

GND

DRAIN

FB

VDD

基准电路

LVDD

VREF

过温保护电路

欠压保护电路

S1过压保护电路

VDD钳位电路 230ohm

1K ohm

驱动

管脚示意图

DIP8/SOP8

管脚说明

名称 管脚序号 管脚说明

GND 1,2 芯片地，同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口

FB 3 反馈输入端口

VDD 4 芯片电源端，工作电压范围可达 9V——38V

DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动

LK VIPer12A AC/DC PWM功率开关v1.6

LK VIPer12A

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极限参数

极限参数(TA= 25℃)

符号 说明 范围 单位

VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3～730 V

VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3～400 V

VDD 芯片电源电压 -0.3～38 V

Ivdd 嵌位电流 10 mA

IFB 最大反馈电流 3 mA

VESD ESD 电压 >4000 V

TJ 结温 -40～150 ℃

TSTG 存储温度 -55～150 ℃

热阻参数

符号 说明 单位

RthJA 热阻(1) 45 ℃/W

注(1)：芯片要焊接在有 200mm2铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。

电气工作参数

(除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃，VDD=18V)

符号 说明 条件

范围

单位

最小 典型 最大

BVDS 漏源击穿电压 VFB=2V; ID=1mA 730V - - V

IDSS DRAIN 端关断态漏电流 VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA

RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 19 - Ohm

VDDON VDD 开启电压 13 14.5 16 V

VDDOFF VDD 关闭电压 7 8 9 V

VDDHYS VDD 迟滞阈值电压 - 6.5 - V

VDDOVP VDD 过压保护阈值 - 39 - V

IDD1 VDD 工作电流 IFB=2.0mA - 0.4 - mA

IDD2 VDD 工作电流 IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA

IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA

FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz

GID IFB/IDRAIN增益 - 320 -

ILIMIT 峰值电流阈值 VFB=0V - 400 - mA

IFBSD FB 关断电流 - 0.9 - mA

RFB FB 输入电阻 ID=0mA - 1.23 - Kohm