CMOS电路中闩锁效应产生的原因、过程以及后果
闩锁效应基本原理
1.闩锁效应简介：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极性晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源与地之间形成低阻抗大电流通路，导致器件无法正常工作。甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极晶体管存在CMOS器件的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。
2.CMOS电路的阱结构最主要i的问题在于闩锁效应，它是由寄生的PNPN双端器件在 一定的条件下形成。闩锁往往发生在芯片的某一局部区域，有两种不同的情况：一种是发生在外围与输入/输出有关的地方；
CMOS电路中的寄生双极型晶体管部分出现闩锁，必须满足以下几个条件；
（1）电路要能进行开关转换，其相关的PNPN结构的回路增益必须大于1。
（2）必须存在一种偏置条件，使两只双极型晶体管导通的时间足够长，以使通过阻塞结的电流能达到定义的开关转换电流的水平。一般来说，双极管的导通都是由流过一个或两个发射结/基极旁路电阻的外部激发电流所引起的。
（3）偏置电源和有关的电路，必须能够提供至少等于PNPN结构脱离阻塞态所需的开关转换电流和必须能够提供至少等于使其达到闩锁态的保持电流。
闩锁效应触发方式
①输入或输出节点的上冲或下冲的触发，使第一个双极型晶体管导通，然后再使第二个双极型晶体管导通。当流人寄生PNPN结构的总电流达到开关转换电流时，闩锁就发生。
②当流过阱一衬底结的雪崩电流、光电流及位移电流，同时通过两个旁路电阻Rw、Rs时，旁路电阻较大的晶体管先导通。然而要使闩锁发生，第二个双极型晶体管必须导通。同时通过PNPN结构的总电流必须达到开关转换电流。
③当出现穿通、场穿通时，低阻通路一-般发生在电源和地线之间，或者发生在电源和衬底发生器之间。在源一漏发生雪崩击穿的情况下，低阻通路发生在电源和信号线之间，或者发生在信号线和衬底发生器之间。这些来源于穿通、场穿通或漏结雪崩的电流,一旦PNPN结构的电流达到用取消被激发晶体管旁路电阻形成的三极管结构计算的开关转换电流时，至少会发生瞬时闩锁，若总电流也能达到四极管结构开关转换电流，即闩锁将维持下去。
具体原理可以参考：https://wenku.baidu.com/view/184e45de26284b73f242336c1eb91a37f011325b.html
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