原理图

取n=14，这样总共会有16个晶体管，在版图时可以画成4x4矩阵，更好的匹配。

仿真PMOS晶体管

对单管pmos仿真gmid以及gain曲线

假设：gm/id=6，L=2u，Id=10uA

从gmid-id/w曲线中可以得到W=12u

bandgap中运放的设计

采用两级运放

假设CL=10p，GBW=50MHz，Av＞10000

输入级pmos进行仿真

取Cc=CL/2=5p，根据，可以计算出gm1=2*10^-3

取gm/id=12，可以计算出id=167uA

Av＞10000，每一级增益取100

Av1=gm1ro/2＞100，需要gain＞200

在gmid-gain中找到gain＞200时的L

取L=400n

根据gmid-idw曲线求出W=121u，令m=4，W=31.5u

负载晶体管nmos仿真

取gm/id=8，L=2u,W=145u,m=4时，w=36.56u

运放第二级nmos管仿真

确定晶体管M6的尺寸，晶体管M6的gm应为gm1的6倍，因此gm6=16*10^-3

取gm/id=8，id=2mA如图L=2u，同理从图中可以看出W=876u，取m=10，，w=87.6u

两级运放仿真

最后根据需求微调参数

banggap仿真电阻R1,R2

假设支路电流为10uA，对R1进行扫描，取R1=6.85K

R2决定温度系数，对R2进行参数扫描，取R2=43k

温度特性仿真

对VDD进行仿真

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