LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)

LAN8742 教程(1) 数据手册 中文翻译(1)
LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)

文章目录

  • LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)
  • 4.0 寄存器说明
  • 4.1 寄存器名称
  • 4.2 控制和状态寄存器
    • 4.2.1 基本控制寄存器
    • 4.2.2 基本状态寄存器
    • 4.2.3 PHY标识符1寄存器
    • 4.2.4 PHY标识符2寄存器
    • 4.2.5 自动协商广告寄存器
    • 4.2.6 自动协商链接合作伙伴能力登记表
    • 4.2.7 自动协商扩展寄存器
    • 4.2.8 自动协商下一页TX寄存器
    • 4.2.9 自动协商下一页接收寄存器
    • 4.2.10 MMD访问控制寄存器
    • 4.2.11 MMD访问地址/数据寄存器
    • 4.2.12 EDPD NLP /分频器
    • 4.2.13 模式控制/状态寄存器
    • 4.2.14 特殊模式寄存器
    • 4.2.15 TDR模式/延迟控制寄存器
    • 4.2.16 TDR控制/状态寄存器
    • 4.2.17 符号错误计数器寄存器
    • 4.2.18 特殊控制/状态指示寄存器
    • 4.2.19 电缆长度寄存器
    • 4.2.20 中断源标志寄存器
    • 4.2.21 中断掩码寄存器
    • 4.2.22 PHY特殊控制/状态寄存器
  • 4.3 MDIO可管理设备（MMD）寄存器
    • 4.3.1 PCS MMD设备当前1个寄存器
    • 4.3.2 PCS MMD设备当前2寄存器
    • 4.3.3 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）
    • 4.3.4 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
    • 4.3.5 唤醒滤波器配置寄存器B（WUF_CFGB）
    • 4.3.6 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）
    • 4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
    • 4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
    • 4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
    • 4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）
    • 4.3.11 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器
    • 4.3.12 供应商特定的MMD 1装置ID 2寄存器
    • 4.3.13 供应商特定的1个MMD设备当前1个寄存器
    • 4.3.14 供应商特定的1 MMD设备当前2寄存器
    • 4.3.15 供应商特定的MMD 1状态寄存器
    • 4.3.16 TDR匹配阈值寄存器
    • 4.3.17 TDR短/开门限寄存器
    • 4.3.18 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器
    • 4.3.19 供应商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器
  • 5.0 操作特性
  • 5.1 绝对最大额定值*
  • 5.2 运行条件**
  • 5.3 封装散热规格
  • 5.4 能量消耗
    • 5.4.1 REF_CLK输入模式
      • 5.4.1.1 调节器禁用
      • 5.4.1.2 稳压器已启用
    • 5.4.2 REF_CLK输出模式
      • 5.4.2.1 调节器禁用
      • 5.4.2.2 稳压器已启用
  • 5.5 直流规格
  • 5.6 交流规格
    • 5.6.1 等效测试负荷
    • 5.6.2 电源序列时序
    • 5.6.3 上电nRST和配置分段时序
    • 5.6.4 RMII接口时序
      • 5.6.4.1 RMII时序（REF_CLK输出模式）
      • 5.6.4.2 RMII时序（REF_CLK输入模式）
      • 5.6.4.3 RMII CLKIN要求
    • 5.6.5 SMI时序
  • 5.7 时钟电路
    • 5.7.1 300 µW 25 MHZ晶体规格
    • 5.7.2 100 µW 25 MHZ晶体规范
      • 表5-17： 100 µW晶体规格
  • 6.0 包装概述

4.0 寄存器说明

本章介绍各种控制和状态寄存器（CSR）和MDIO可管理设备（MMD）寄存器。
CSR遵循IEEE 802.3（条款22.2.4）管理寄存器集。 MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器规范。所有功能和位定义均符合这些标准。
每个CSR定义都包含IEEE 802.3指定的寄存器索引（十进制），从而允许通过串行管理接口（SMI）协议对这些寄存器进行寻址。可通过MMD访问控制寄存器和MMD访问地址/数据寄存器CSR间接访问MMD寄存器。

4.1 寄存器名称

表4-1说明了本文档中使用的寄存器位属性符号。
表4-1：寄存器位类型

寄存器位类型表示法 寄存器位说明
R Read(读) ：可以读取具有此属性的寄存器或位。
W Write(写) ：可以写入具有该属性的寄存器或位。
RO Read only(只读)：写入无效。
WO Write only(只写)：如果寄存器或位是只写的，则读取将返回未指定的数据。
WC Write One to Clear(写一个清除)：写一个清除数值。写零无效
WAC Write Anything to Clear(写任何东西清除)：写任何东西都会清除值。
RC Read to Clear(读取至清除)：读取后清除内容。写入无效。
LL Latch Low(锁存器低)：读取寄存器时清零。
LH Latch High(锁存器高)：读取寄存器后清零。
SC Self-Clearing(自清除)：设置后，内容将自动清除。零写入无效。内容可以阅读。
SS Self-Setting(自设置)：清除后内容是自设置的。写一个无效。内容可以阅读。
RO/LH Read Only, Latch High(只读)，锁存高电平：具有此属性的位将保持高电平，直到读取该位为止。读取后，如果保持高电平状态，则该位将保持高电平；如果已去除高电平状态，则将变为低电平。如果尚未读取该位，则无论高电平状态如何变化，该位都将保持高电平。在某些以太网PHY寄存器中使用此模式。
NASR Not Affected by Software Reset(不受软件复位的影响)：声明软件复位后，NASR位的状态不会更改。
RESERVED Reserved Field(保留字段)：保留字段必须写入零以确保将来的兼容性。读取时不能保证保留位的值。

这些寄存器位符号中的许多都可以组合。下面是一些示例：

• R / W：可以写入。读取时将返回当前设置。
• R / WAC：将在读取时返回当前设置。写任何东西都可以清除。

4.2 控制和状态寄存器

表4-2列出了支持的寄存器。寄存器的详细信息（包括位定义）在后续小节中提供。
表4-2：SMI寄存器映射

寄存器索引（十进制） 寄存器名称 组
0 基本控制寄存器 基本的
1 基本状态寄存器 基本的
2 PHY标识符1寄存器 扩展的
3 PHY标识符2寄存器 扩展的
4 自动协商广告注册 扩展的
5 自动协商链接合作伙伴能力注册 扩展的
6 自动协商扩展寄存器 扩展的
7 自动协商下一页TX寄存器 扩展的
8 自动协商下一页RX寄存器 扩展的
13 MMD访问控制寄存器 扩展的
14 MMD访问地址/数据寄存器 扩展的
16 EDP​​D NLP /交叉时间寄存器 供应商特定
17 模式控制/状态寄存器 供应商特定
18 特殊模式寄存器 供应商特定
24 TDR模式/延迟控制寄存器 供应商特定
25 TDR控制/状态寄存器 供应商特定
26 符号错误计数器寄存器 供应商特定
27 特殊控制/状态指示寄存器 供应商特定
28 电缆长度寄存器 供应商特定
29 中断源标志寄存器 供应商特定
30 中断屏蔽寄存器 供应商特定
31 PHY特殊控制/状态寄存器 供应商特定

4.2.1 基本控制寄存器

索引（十进制）：0
大小：16位

位 描述 类型 默认值
15 软复位
1 =软件复位。位是自我清除。设置该位时，请勿设置该寄存器中的其他位。
注意：配置（如第3.7.2节“ MODE [2：0]中所述：模式配置”）是通过寄存器的位值而非模式引脚设置的。 		R/W SC 0b
14 回送
0 =正常运行
1 =回送模式 		R/W 0b
13 速度选择
0 = 10 Mbps
1 = 100 Mbps
注意：如果启用了自动协商，则忽略（0.12 = 1）。 		R/W （请参阅注释1）
12 启用自动协商
0 = 禁用自动协商过程
1 = 启用自动协商过程（覆盖0.13和0.8） 		R/W （请参阅注释1）
11 掉电
0 = 正常运行
1 = 常规掉电模式 		R/W 0b
10 隔离
0 = 正常运行
1 = PHY与RMII电气隔离 		R/W 0b
9 重新启动自动协商
0 = 正常运行
1 = 重新启动自动协商过程注意：该位是自清除的。 		R/W SC 0b
8 双工模式
0 =半双工
1 =全双工
注意：如果启用了自动协商（0.12 = 1），则将被忽略。 		R/W
7:0 保留的 RO -

Note 1: The default value of this bit is determined by the MODE[2:0] configuration straps. Refer to Section 3.7.2, “MODE[2:0]:Mode Configuration” for additional information.

4.2.2 基本状态寄存器

索引（十进制）：1
大小：16位

位 描述 类型 默认值
15 100BASE-T4
0 = 无T4能力
1 = 能够使用T4 		RO 0b
14 100BASE-TX全双工
0 = 无TX全双工功能
1 =具有全双工的TX 		RO 1b
13 100BASE-TX半双工
0 = 无TX半双工能力
1 = TX有半双工 		RO 1b
12 10BASE-T全双工
0 = 无全双工10 Mbps
1 = 全双工10 Mbps 		RO 1b
11 10BASE-T半双工
0 = 无半双工10 Mbps
1 = 半双工10 Mbps 		RO 1b
10 100BASE-T2全双工
0 = PHY无法执行全双工100BASE-T2
1 = PHY能够执行全双工100BASE-T2 		RO 0b
9 100BASE-T2半双工
0 = PHY无法执行半双工100BASE-T2
1 = PHY能够执行半双工100BASE-T2 		RO 0b
8 扩展状态
0 = 寄存器15中没有扩展状态信息
1 =寄存器15中有扩展状态信息 		RO 0b
7:6 保留的 RO -
5 自动协商完成
0 =自动协商过程未完成
1 =自动协商过程完成 		RO 0b
4 远程故障
1 =检测到远程故障情况
0 =无远程故障 		RO/LH 0b
3 自动协商能力
0 = 无法执行自动协商功能
1 = 能够执行自动协商功能 		RO 1b
2 连结状态
0 = 链接已断开。
1 = 链接已建立。 		RO/LL 0b
1 贾伯检测
0 =未检测到jabber情况。
1 = 检测到Jabber条件。 		RO/LH 0b
0 扩展功能
0 =不支持扩展功能寄存器
1 = 支持扩展功能寄存器 		RO 1b

4.2.3 PHY标识符1寄存器

索引（十进制）：2
大小：16位

位 描述 类型 默认
15:0 PHY ID号 分配给组织唯一标识符的第3至第18位 （OUI）。 读/写 0007h

4.2.4 PHY标识符2寄存器

索引（十进制）：3
大小：16位

位 描述 类型 默认
15:10 PHY ID号
分配给OUI的第19至第24位。 		读/写 C130h
9:4 型号编号
六位制造商的型号 		读/写
3:0 修订号
四位制造商的修订号 		读/写

注意： 版本号字段的默认值可能会根据芯片版本号而有所不同。

4.2.5 自动协商广告寄存器

索引（十进制）：4
大小：16位位

位 描述 类型 默认
15 下一页
0 = 没有下一页功能
1 = 支持下一页 		读/写 0b
14 已预留 只读 -
13 远程故障
0 = 无远程故障
1 = 检测到远程故障 		读/写 0b
12 保留的 只读 -
11:10 暂停操作
00 = 无暂停
01 =对称暂停
10 =对链接伙伴的非对称暂停
11 =向本地设备通告对对称暂停和非对称暂停的支持
注意 : 如果同时设置了对称暂停和非对称暂停，则设备在自动协商完成后最多只能配置为两个设置之一。 		读/写 00b
9 保留的 只读 -
8 100BASE-TX全双工
0 = 无TX全双工功能
1 = 具有全双工的TX 		读/写 （请参阅注释1）
7 100BASE-TX
0 = 没有发送能力
1 = 能够发送 		读/写 1b
6 10BASE-T全双工
0 = 无10 Mbps全双工功能
1 = 10 Mbps全双工 		读/写 （请参阅注释1）
5 10BASE-T
0 = 无10 Mbps的能力
1 = 10 Mbps的能力 		读/写 （请参阅注释1）
4:0 选择器字段
00001 = IEEE 802.3 		读/写 00001b

注释1： 该位的默认值由MODE
[2:0]配置带确定。请参阅第3.7.2节“ MODE [2:0]: 模式配置”以获取更多信息。

4.2.6 自动协商链接合作伙伴能力登记表

索引（十进制）：5
大小：16位

位 描述 类型 默认
15 下一页
0 = 没有下一页功能
1 =支持下一页 		只读 0b
14 确认
0 = 尚未收到链接代码字
1 = 从伙伴接收到链接代码字 		只读 0b
13 远程故障
0 =无远程故障
1 = 检测到远程故障 		只读 0b
12 已预留 只读 -
11:10 暂停操作
00 =伙伴站不支持暂停
01 = 伙伴站支持对称暂停
10 = 伙伴站支持非对称暂停
11 = 伙伴站同时支持对称暂停和非对称暂停 		只读 00b
9 100BASE-T4
0 =无T4能力
1 = 能够使用T4
注意： 该设备不支持T4功能。 		只读 0b
8 100BASE-TX全双工
0 = 无TX全双工功能
1 = 具有全双工的TX 		只读 0b
7 100BASE-TX
0 = 没有发送能力
1 = 能够发送 		只读 0b
6 10BASE-T全双工
0 =无10 Mbps全双工功能
1 = 10 Mbps全双工 		只读 0b
5 10BASE-T
0 =无10 Mbps能力
1 = 10 Mbps的能力 		只读 0b
4:0 选择器字段
00001 = IEEE 802.3 		只读 00001b

4.2.7 自动协商扩展寄存器

索引（十进制）：6
大小：16位

位 描述 类型 默认
15:7 保留的 只读 -
6 接收下一页位置信息
0 = 接收的下一页存储位置未由6.5位指定
1 = 接收的下一页存储位置未由6.5位指定 		只读 1b
5 收到的下一页存储位置
0 =链接伙伴下一页存储在自动协商链接伙伴能力寄存器（PHY寄存器5）中
1 =链接伙伴的下一页存储在自动协商下一页RX寄存器（PHY寄存器8）中 		只读 1b
4 并行检测故障
0 =并行检测逻辑未检测到故障
1 =并行检测逻辑检测到故障 		RO/LH 0b
3 链接合作伙伴下一页
0 =链接伙伴没有下一页功能。
1 =链接伙伴具有下一页功能。 		只读 0b
2 下一页能够
0 =本地设备没有下一页功能。
1 =本地设备具有下一页功能。 		只读 1b
1 收到页面
0 = 尚未收到新页面
1 = 收到新页面 		RO/LH 0b
0 链接伙伴自动协商能力
0 =链接伙伴不具有自动协商功能。
1 =链接伙伴具有自动协商功能。 		只读 0b

4.2.8 自动协商下一页TX寄存器

索引（十进制）： 7
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 下一页
0 = 没有下一页功能
1 = 支持下一页 		R/W 0b
14 保留的 RO -
13 留言页面
0 = 未格式化的页面
1 = 消息页面 		R/W 1b
12 致谢2
0 = 设备不符合消息。
1 = 设备将遵循消息。 		R/W 0b
11 切换
0 = 先前值为HIGH。
1 = 上一个值为LOW。 		RO 0b
10:0 讯息码
消息/未格式化的代码字段 		R/W 000 0000 0001b

4.2.9 自动协商下一页接收寄存器

索引（十进制）： 8
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 下一页
0 = 没有下一页功能
1 = 支持下一页 		RO 0b
14 确认
0 = 尚未从合作伙伴处收到链接代码字
1 = 从伙伴接收到链接代码字 		RO 0b
13 留言页面
0 = 未格式化的页面
1 = 消息页面 		RO 0b
12 致谢2
0 = 设备不符合消息。
1 = 设备将遵循消息。 		RO 0b
11 切换
0 = 先前值为HIGH。
1 =上一个值为LOW。 		RO 0b
10:0 讯息码
消息/未格式化的代码字段 		RO 000 0000 0000b

4.2.10 MMD访问控制寄存器

索引（十进制）： 13
大小： 16位
该寄存器与MMD访问地址/数据寄存器一起提供对MDIO可管理设备（MMD）寄存器的间接访问。有关更多详细信息，请参见第4.3节“ MDIO可管理设备（MMD）寄存器”。

位 描述 类型 默认
15:14 MMD功能
此字段用于选择所需的MMD功能：
00 = 地址
01 = 数据，无帖子增量
10 = 保留
11 = 保留 		R/W 00b
13:5 保留的 RO -
4:0 MMD设备地址（DEVAD）
该字段用于选择所需的MMD设备地址。
（3 = PCS） 		R/W 0h

4.2.11 MMD访问地址/数据寄存器

索引（十进制）： 14
大小： 16位
该寄存器与MMD访问控制寄存器一起提供对MDIO可管理设备（MMD）寄存器的间接访问。有关更多详细信息，请参见第4.3节“ MDIO可管理设备（MMD）寄存器”。

位 描述 类型 默认
15:0 MMD寄存器地址/数据
如果MMD访问控制寄存器的MMD功能字段为“ 00”，则此 字段用于指示MMD寄存器地址以读取/写入MMD设备地址（DEVAD）字段中指定的设备。否则，该寄存器用于从先前指定的MMD地址读取数据或将数据写入先前指定的MMD地址。 		R/W 0000h

4.2.12 EDPD NLP /分频器

索引（十进制）： 16
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 EDP​​D TX NLP使能
在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），这 该位允许以EDPD TX NLP间隔计时器选择字段定义的间隔传输单个TX NLP。
0 = 禁用TX NLP
1 =处于EDPD模式时启用TX NLP 		R/WNASR 0b
14:13 EDP​​D TX NLP间隔定时器选择
处于能量检测掉电（EDPD）模式（EDPWRDOWN = 1）且 EDP​​D TX NLPEnable为1，此字段定义用于发送单个TX NLP的间隔。
00 = 1秒（默认）
01 = 768毫秒
10 = 512毫秒
11 = 256毫秒 		R/WNASR 00b
12 EDP​​D RX单个NLP唤醒使能
在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），这 该位使能在接收单个RX NLP时唤醒PHY。
0 =禁止RX NLP唤醒
1 =处于EDPD模式时使能TX NLP唤醒 		R/WNASR 0b
11:10 EDP​​D RX NLP最大间隔检测选择
处于能量检测掉电（EDPD）模式（EDPWRDOWN= 1）且EDP​​D RX单个NLP唤醒使能为0，此字段定义检测两个要从EDPD模式唤醒的RX NLP的最大间隔
00 = 64毫秒（默认）
01 = 256毫秒
10 = 512毫秒
11 = 1秒 		R/WNASR 00b
9:2 保留的 RO -
1 EDP​​D扩展交叉
在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1）， 将此位设置为1可将交叉时间延长2976 ms。
0 = 禁用交叉时间扩展
1 = 启用交叉时间扩展（2976 ms） 		R/WNASR 0b
0 延长手动10/100 Auto-MDIX交叉时间 启用自动MIDX并且PHY处于手动10BASE-T或 在100BASE-TX模式下，将此位设置为1可将交叉时间延长1984 ms，以允许链接到自动协商链接伙伴PHY。
0 = 禁用交叉时间扩展
1 = 启用交叉时间扩展（1984毫秒） 		R/WNASR 1b

4.2.13 模式控制/状态寄存器

索引（十进制）： 17
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:14 保留的 RO -
13 EDP​​关机
启用能量检测掉电（EDPD）模式：
0 = 禁止能量检测掉电。
1 = 使能能量检测掉电。
注意： 在EDPD模式下，可以通过EDPD NLP / Crossover TimeRegister修改设备的NLP特性。 		R/W 0b
12:10 保留的 RO -
9 远端环回
启用远端环回模式（即，所有接收到的数据包都以模拟方式发送回 （仅在100BASE-TX中）。即使设置了隔离位（0.10），此模式仍然有效。
0 = 禁用远端环回模式。
1 = 使能远端环回模式。 有关更多信息，请参见第3.8.10.2节“ Far Loopback”。 		R/W 0b
8:7 保留的 RO -
6 ALTINT
备用中断模式：
0 = 使能主中断系统（默认）
1 = 使能备用中断系统 有关更多信息，请参见第3.6节“中断管理”。 		R/W 0b
5:2 保留的 RO -
1 能源
指示是否检测到能量。如果无效，则该位转换为“ 0” 在256毫秒内检测到能量。通过硬件复位将其复位为“ 1”，而不受软件复位的影响。有关更多信息，请参见第3.8.3.2节“能量检测掉电（EDPD）”。 		RO 1b
0 保留的 R/W 0b

4.2.14 特殊模式寄存器

索引（十进制）： 18
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:8 保留的 RO -
7:5 模式
收发器的操作模式。请参阅第3.7.2节“ MODE [2：0]： 模式 配置”以获取更多详细信息。 		R/WNASR （请参阅注释1）
4:0 PHY地址
PHY地址。PHY地址用于SMI地址和初始化- 密码（扰码）键的位置。
请参见第3.7.1节“ PHYAD [0]： PHY地址配置”以获取更多详细信息。 		R/WNASR （见注2）

**注释1：**该字段的默认值由MODE [2：0]配置带确定。请参阅第3.7.2节“ MODE [2：0]： 模式配置”以获取更多信息。
注释2: 该字段的默认值由PHYAD [0]配置带确定。请参见第3.7.1节“ PHYAD [0]：PHY地址配置”以获取更多信息。

4.2.15 TDR模式/延迟控制寄存器

索引（十进制）： 24
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 TDR延迟输入
0 = 断线时间为2 ms。
1 = 设备在启动TDR之前使用TDR线路中断计数器来增加线路中断时间。 		R/WNASR 0b
14:12 TDR断线计数器
当TDR Delay In为1时，此字段指定在 增量为256毫秒，最长2秒。 		R/WNASR 000b
11:6 TDR模式高
该字段指定高周期以TDR模式发送的数据模式。 		R/WNASR 101110b
5:0 TDR模式低
此字段指定在低周期以TDR模式发送的数据模式。 		R/WNASR 011101b

4.2.16 TDR控制/状态寄存器

索引（十进制）： 25
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 TDR启用
0 =禁用TDR模式
1 =启用TDR模式
注意： TDR完成时此位自清除（TDR通道状态变为高电平） 		R/WNASR SC 0b
14 TDR模数滤波器使能
0 = 禁用TDR模数转换器
1 = 启用TDR模数滤波器（减少TDR脉冲期间的噪声尖峰） 		R/WNASR 0b
13:11 保留的 RO -
10:9 TDR通道电缆类型
表示由TDR测试确定的电缆类型。
00 = 默认
01 = 短路的电缆状况
10 = 断开的电缆状况
11 = 匹配的电缆状况 		R/WNASR 00b
8 TDR频道状态
高电平时，该位指示TDR操作已完成。这一点 将保持高电平，直到复位或重新启动TDR操作（TDR使能= 1） 		R/WNASR 0b
7:0 TDR通道长度
此八位值指示短路或断开期间的TDR通道长度 电缆状况。有关此字段的用法的更多信息，请参见第3.8.9.1节“时域反射法（TDR）电缆诊断”。
**注意：**在匹配电缆情况下，此字段无效。电缆长度寄存器必须用于确定非断开/短路（匹配）条件下的电缆长度。有关更多信息，请参见第3.8.9节“电缆诊断”。 		R/WNASR 00h

4.2.17 符号错误计数器寄存器

索引（十进制）： 26
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 符号错误计数器（SYM_ERR_CNT）
当无效时，此基于100BASE-TX接收器的错误计数器将递增 收到的代码符号包括IDLE符号。即使接收的数据包包含多个符号错误，每个数据包计数器也只会递增一次。此字段最多可计数65,536，如果超出最大值，则翻转为0。
注意 ： 该寄存器在复位时被清除，但不能通过读取寄存器来清除。在10BASE-T模式下不会递增。 		RO 0000h

4.2.18 特殊控制/状态指示寄存器

索引（十进制）： 27
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 AMDIXCTRL
HP Auto-MDIX控件：
0 = 启用自动MDIX
1 = 禁用Auto-MDIX（使用27.13控制通道） 		R/WNASR 0b
14 保留的 RO -
13 CH_SELECT
手动频道选择：
0 = MDI（TX发送，RX接收）
1 = MDIX（TX接收，RX发送） 		R/WNASR 0b
12 保留的 RO -
11 SQEOFF
禁用SQE测试（心跳）：
0 = 启用SQE测试
1 = 禁用SQE测试 		R/WNASR 0b
10:5 保留的 RO -
4 XPOL
10BASE-T的极性状态：
0 = 正常极性
1 = 极性相反 		RO 0b
3:0 保留的 RO -

4.2.19 电缆长度寄存器

索引（十进制）： 28
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:12 电缆长度（CBLN）
该四位值指示电缆长度。请参阅第3.8.9.2节， “匹配的电缆诊断”提供有关此字段用法的更多信息。
**注意：**此字段指示没有电缆断开/短路的100BASE-TX链接设备的电缆长度。要确定电缆的打开/短路状态，必须使用TDR模式/延迟控制寄存器和TDR控制/状态寄存器。10BASE-T链接不支持电缆长度。有关更多信息，请参见第3.8.9节“电缆诊断”。 		RO 0000b
11:0 保留的 RO -

4.2.20 中断源标志寄存器

索引（十进制）： 29
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:9 保留的 RO -
8 INT8
0 = 没有中断源
1 = 检测到局域网唤醒（WoL）事件 		RO/LH 0b
7 INT7
0 = 没有中断源
1 = 产生能量 		RO/LH 0b
6 INT6
0 = 没有中断源
1 = 自动协商完成 		RO/LH 0b
5 INT5
0 = 没有中断源
1 = 检测到远程故障 		RO/LH 0b
4 INT4
0 = 没有中断源
1 = 链接断开（链接状态否定） 		RO/LH 0b
3 INT3
0 = 没有中断源
1 = 自动协商LP确认 		RO/LH 0b
2 INT2
0 = 没有中断源
1 = 并行检测故障 		RO/LH 0b
1 INT1
0 =没有中断源
1 = 收到自动协商页面 		RO/LH 0b
0 保留的 RO 0b

4.2.21 中断掩码寄存器

索引（十进制）： 30
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:9 保留的 RO -
8:1 屏蔽位 这些位屏蔽了中断源标志中的相应中断 寄存器。
0 = 屏蔽中断源。
1 = 使能中断源。 		R/W 00000000b
0 保留的 RO -

4.2.22 PHY特殊控制/状态寄存器

索引（十进制）： 31
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:13 保留的 RO -
12 自动完成
自动协商完成指示：
0 = 未完成或禁用自动协商（或未激活）。
1 = 自动协商完成。 		RO 0b
11:5 保留-写为0000010b，读时忽略。 R/W 0000010b
4:2 速度指示
HCDSPEED值：
001 = 10BASE-T半双工
101 = 10BASE-T全双工
010 = 100BASE-TX半双工
110 = 100BASE-TX全双工 		RO XXXb
1:0 保留的 RO -

4.3 MDIO可管理设备（MMD）寄存器

设备MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器规范。MMD寄存器未映射到内存。这些寄存器可通过MMD访问控制寄存器和MMD访问地址/数据寄存器间接访问。支持的MMD设备地址为3（PCS）和30（特定于供应商）。表4-3“ MMD寄存器”详细介绍了每个MMD器件内支持的寄存器。
表4-3：MMD寄存器

MMD设备地址 （十进制） 指数 （十进制） 注册名称
3（PCS） 5 PCS MMD设备存在1个寄存器
6 PCS MMD设备存在2个寄存器
32784 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）
32785 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
32786 唤醒过滤器配置寄存器B（WUF_CFGB）
32801 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）
32802
32803
32804
32805
32806
32807
32808
32865 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
32866 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
32867 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
32868 杂项配置寄存器（MCFGR）
30 （特定于供应商） 2 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器
3 供应商特定的MMD 1设备ID 2寄存器
5 供应商特定的1 MMD设备存在1注册
6 供应商特定的1 MMD设备存在2注册
8 供应商特定的MMD 1状态寄存器
11 TDR匹配阈值寄存器
12 TDR短/开门限寄存器
14 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器
15 供应商特定的MMD 1软件包ID 2寄存器

要读取或写入MMD寄存器，必须遵循以下步骤：

  1. 将MMD功能字段的00b（地址）写入MMD访问控制寄存器，并将MMD设备地址（DEVAD）的字段写入所需的MMD设备（对于PCS为3）。
  2. 用所需MMD寄存器的16位地址写入MMD访问地址/数据寄存器，以便在先前选择的MMD设备（PCS或自动协商）中进行读取/写入。
  3. 在MMD功能字段的01b（数据）中写入MMD访问控制寄存器，并在MMD设备地址（DEVAD）字段中选择先前选择的MMD设备（对于PCS为3）。
  4. 如果读取，则读取包含所选MMD寄存器内容的MMD访问地址/数据寄存器。如果进行写操作，则将用于先前选择的MMD寄存器的寄存器内容写入MMD访问地址/数据寄存器。

4.3.1 PCS MMD设备当前1个寄存器

索引（十进制）： 3.5
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:8 保留的 RO -
7 自动协商存在
0 = 包中不存在自动协商
1 = 包中包含自动协商 		RO 1b
6 TC存在
0 = 包装中不存在TC
1 = 包装中的TC 		RO 0b
5 DTE XS存在
0 =软件包中不包含DTE XS
1 = 封装中包含DTE XS 		RO 0b
4 PHY XS存在
0 =封装中不包含PHY XS
1 = 封装中包含PHY XS 		RO 0b
3 PCS存在
0 = PCS不存在于包装中
1 = 包装中包含PCS 		RO 1b
2 WIS存在
0 = WIS不在包装中
1 = 包装中存在WIS 		RO 0b
1 PMD / PMA当前
0 = PMD / PMA不存在于包装中
1 = 包装中存在PMD / PMA 		RO 0b
0 条款22注册
0 = 软件包中不存在第22条寄存器
1 = 包装中包含第22条寄存器 		RO 0b

4.3.2 PCS MMD设备当前2寄存器

索引（十进制）： 3.6
大小:16位

位 描述 类型 默认
15 供应商特定设备2存在
0 = 封装中没有供应商特定的设备2
1 = 包装中包含供应商特定的设备2 		RO 0b
14 供应商特定设备1存在
0 = 封装中没有供应商专用设备1
1 = 包装中包含供应商特定的设备1 		RO 1b
13 第22条扩展存在
0 = 包装中不存在第22条扩展
1 = 包装中存在第22条扩展 		RO 0b
12:0 保留的 RO -

4.3.3 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）

索引（十进制）： 3.32784
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 接口禁用
0 =使能RMII接口 1 =禁用RMII接口。输出驱动为低电平，输入被忽略。 		R/WNASR 0b
14:13 LED1功能选择
00 = LED1用作链接/活动。
01 = LED1用作nINT。
10 = LED1用作nPME。
11 = LED1用作链接速度。
注意： 有关更多信息，请参见第3.8.1节“ LED”。 		R/WNASR 0b
12:11 LED2功能选择
00 = LED2用作链接速度。
01 = LED2用作nINT。
10 = LED2用作nPME。
11 = LED2用作链接/活动。
注意： 有关更多信息，请参见第3.8.1节“ LED”。 		R/WNASR 0b
10 保留的 RO -
9 nPME自清除
0 = nPME引脚未自清除。
1 = nPME引脚自清除。
注意： 置位时，nPME信号的解除置位延迟由其他配置寄存器（MCFGR）的nPME置位延迟位控制。有关更多信息，请参见第3.8.4节“ LAN唤醒（WoL）”。 		R/WNASR 0b
8 WoL已配置
配置WoL寄存器后，可以通过软件将该位置1。这个 粘滞位（以及所有其他与WoL相关的寄存器位）仅通过重新上电或引脚复位来复位，从而允许软件响应于WoL事件而跳过对WoL寄存器的编程。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.4节“ LAN唤醒（WoL）”。 		R/W/ NASR 0b
7 收到完美的DA帧（PFDA_FR）
MAC在收到带有目标地址的有效帧后将其设置为该位 与物理地址匹配。 		R / WC / NASR 0b
6 接收远程唤醒帧（WUFR）
MAC在收到有效的远程唤醒帧后会设置该位。 		R / WC / NASR 0b
5 收到魔术包（MPR）
MAC在收到有效的魔术包后将该位置1。 		R / WC / NASR 0b
4 收到广播帧（BCAST_FR）
MAC在收到有效的广播帧后将该位置1。 		R / WC / NASR 0b
3 完善的DA唤醒启用（PFDA_EN）
设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC能够唤醒 接收到目标地址与设备的物理地址匹配的帧。物理地址存储在MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA），MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）和MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）中。 		R/W/ NASR 0b
2 唤醒帧启用（WUEN）
设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC具有以下功能： 按照唤醒过滤器中的程序设置唤醒帧。 		R/W/ NASR 0b
1 魔术包启用（MPEN）
置位时，启用魔术包唤醒模式。 		R/W/ NASR 0b
0 广播唤醒启用（BCST_EN）
设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC能够唤醒 从广播帧开始。 		R/W/ NASR 0b

4.3.4 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）

索引（十进制）： 3.32785
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 筛选器启用
0 = 禁用过滤器
1 = 启用过滤器 		R/W/ NASR 0b
14 过滤触发
0 = 未触发过滤器
1 = 触发过滤器 		R / WC / NASR 0b
13:11 保留的 RO -
10 地址匹配启用
设置后，目标地址必须与编程的地址匹配。 清除后，将接受任何单播数据包。有关更多信息，请参见第3.8.4.4节“唤醒帧检测”。 		R/W/ NASR 0b
9 过滤任何多播启用
设置后，除广播以外的任何多播数据包都会导致地址 比赛。有关更多信息，请参见第3.8.4.4节“唤醒帧检测”。
注意： 该位的优先级高于该寄存器的位10。 		R/W/ NASR 0b
8 过滤广播启用
设置后，任何广播帧都将导致地址匹配。请参阅部分 3.8.4.4，“唤醒帧检测”以获取更多信息。
注意： 该位的优先级高于该寄存器的位10。 		R/W/ NASR 0b
7:0 滤镜图案偏移
指定在其上进行CRC检查的帧中第一个字节的偏移量 开始进行唤醒帧识别。偏移量0是传入帧的目标地址的第一个字节。 		R/W/ NASR 00h

4.3.5 唤醒滤波器配置寄存器B（WUF_CFGB）

索引（十进制）： 3.32786
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 过滤器CRC-16 该字段为过滤器指定了预期的16位CRC值 通过使用模式偏移和为滤波器编程的字节掩码获得。将该值与在传入帧上计算的CRC进行比较，并且匹配项表示接收到唤醒帧。 R/W/ NASR 0000h

4.3.6 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）

索引（十进制）： 3.32801
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[127：112] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32802
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[111：96] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32803
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[95:80] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32804
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[79:64] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32805
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[63:48] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32806
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[47:32] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32807
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[31:16] R/W/ NASR 0000h

索引（十进制）： 3.32808
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 唤醒过滤器字节掩码[15：0] R/W/ NASR 0000h

4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）

索引（十进制）： 3.32865
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 物理地址[47:32] R/W/ NASR FFFFh

注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h

4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）

索引（十进制）： 3.32866
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 物理地址[31:16] R/W/ NASR FFFFh

注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h

4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）

索引（十进制）： 3.32867
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 物理地址[15:0] R/W/ NASR FFFFh

注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h

4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）

索引（十进制）： 3.32868
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 nPME声明延迟 当nPME时，该寄存器控制nPME断言时间的延迟。 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）的自清除位被设置。每个计数等效于20 µs的延迟。最大延迟为1.31秒。时间=（寄存器值+ 1）x 20 µs。 R/W/ NASR 1000h

4.3.11 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器

索引（十进制）： 30.2
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 保留的 RO 0000h

4.3.12 供应商特定的MMD 1装置ID 2寄存器

索引（十进制）： 30.3
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 保留的 RO 0000h

4.3.13 供应商特定的1个MMD设备当前1个寄存器

索引（十进制）： 30.5
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:8 保留的 RO -
7 自动协商存在
0 = 包中不存在自动协商
1 = 包中包含自动协商 		RO 1b
6 TC存在
0 = 包装中不存在TC
1 = 包装中的TC 		RO 0b
5 DTE XS存在
0 = 软件包中不包含DTE XS
1 = 封装中包含DTE XS 		RO 0b
4 PHY XS存在
0 =封装中不包含PHY XS
1 = 封装中包含PHY XS 		RO 0b
3 PCS存在
0 = PCS不存在于包装中
1 = 包装中包含PCS 		RO 1b
2 WIS存在
0 = WIS不在包装中
1 = 包装中存在WIS 		RO 0b
1 PMD / PMA当前
0 = PMD / PMA不存在于包装中
1 = 包装中存在PMD / PMA 		RO 0b
0 条款22注册
0 = 软件包中不存在第22条寄存器
1 = 包装中包含第22条寄存器 		RO 0b

4.3.14 供应商特定的1 MMD设备当前2寄存器

索引（十进制）： 30.6
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15 供应商特定设备2存在
0 = 封装中没有供应商特定的设备2
1 = 包装中包含供应商特定的设备2 		RO 0b
14 供应商特定设备1存在
0 = 封装中没有供应商专用设备1
1 = 包装中包含供应商特定的设备1 		RO 1b
13 第22条扩展存在
0 = 包装中不存在第22条扩展
1 = 包装中存在第22条扩展 		RO 0b
12:0 保留的 RO -

4.3.15 供应商特定的MMD 1状态寄存器

索引（十进制）： 30.8
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:14 设备存在
00 =该地址没有设备响应
01 =没有设备在该地址响应
10 =设备在该地址响应
11 =没有设备在该地址响应 		10b
13:0 保留的 RO -

4.3.16 TDR匹配阈值寄存器

索引（十进制）： 30.11
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:10 保留的 RO -
9:5 TDR匹配高阈值
设置阈值以检测匹配电缆。 		R/W 5’h12 （请参阅注释1）
4:0 TDR匹配下限阈值
设置下限阈值以检测匹配电缆。 		R/W 2009年5月5日 （请参阅注释1）

注释1 ：软件复位会将此寄存器的默认值置于不确定状态。为了使TDR正常运行，必须将TDR短低阈值和TDR打开高阈值分别设置为5’h09和5’h12。

4.3.17 TDR短/开门限寄存器

索引（十进制）： 30.12
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:10 保留的 RO -
9:5 TDR短低阈值 设置下限阈值以检测电缆短路。 R/W 2009年5月5日 （请参阅注释1）
4:0 TDR开放上限 设置检测电缆断线的上限阈值。 R/W 5’h12 （请参阅注释1）

注释1 ：软件复位会将此寄存器的默认值置于不确定状态。为了使TDR正常运行，必须将TDR短低阈值和TDR打开高阈值分别设置为5’h09和5’h12。

4.3.18 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器

索引（十进制）： 30.14
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 保留的 RO 0000h

4.3.19 供应商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器

索引（十进制）： 30.15
大小： 16位

位 描述 类型 默认
15:0 保留的 RO 0000h

5.0 操作特性

5.1 绝对最大额定值*

电源电压（VDDIO，VDD1A，VDD2A）（参见注释1）
-0.5V- to +3.6V

数字内核电源电压（VDDCR）（参见注释1）
-0.5V- to +1.5V

以太网磁性电源电压
-0.5V- to +3.6V

输入信号引脚上相对于地的正电压（请参见注释2）
VDDIO + 2.0 V

输入信号引脚上的负电压（相对于地）（请参见注释3）
-0.5V

XTAL1 / CLKIN上的正电压，相对于地
3.6V

储存温度…- 55oC至+ 150oC

引线温度范围…请参阅JEDEC规范。J-STD-020

HBM ESD性能JEDEC 3A级

**注释1：**使用实验室或系统电源为设备供电时，重要的是不要超过绝对最大额定值，否则可能导致设备故障。交流电源打开或关闭时，某些电源在其输出上会出现电压尖峰。此外，交流电源线上的电压瞬变可能会出现在直流输出上。如果存在这种可能性，建议使用钳位电路。

注释2: 此额定值不适用于以下引脚：XTAL1 / CLKIN，XTAL2，RBIAS。

注释3: 此额定值不适用于以下引脚：RBIAS。

*超过本节所列的应力可能会导致设备永久损坏。这仅是压力等级。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。不暗示在超过第5.2节“工作条件**”或本规范任何其他适用部分指出的条件下，设备的功能运行。请注意，除非另有说*明，*否则设备信号不能承受5.0V的电压。

5.2 运行条件**

电源电压（VDDIO）+1.62 V至+3.6 V

模拟端口电源电压（VDD1A，VDD2A）+3.0 V至+3.6 V

数字内核电源电压（VDDCR）+1.14 V至+1.26 V

以太网磁性电源电压+2.25 V至+3.6 V

静止空气（TA）中的环境工作温度（请参见注释1）

注1 ：商业版本为0°C至+ 70°C，工业版本为-40°C至+ 85°C。

注意： 在设备未通电的情况下，请勿驱动输入信号。

5.3 封装散热规格

表5-1：包装热参数

参数 符号 值 单元 评论
热阻 ΘJA 55.3 摄氏度/瓦 从模头到周围空气的静止空气中测量
封装顶部到结点 ΨJT 0.9 摄氏度/瓦 在静止空气中测量

注意： 根据JESD51，为多层2S2P PCB中的设备测量或估算热参数。

5.4 能量消耗

本节详细介绍了在各种工作条件下进行的设备功率测量。除非另有说明，否则所有测量均使用标称值（VDDIO，VDD1A，VDD2A = 3.3 V，VDDCR = 1.2 V）的电源进行。有关省电模式的说明，请参见第3.8.3节“省电模式”。

5.4.1 REF_CLK输入模式

5.4.1.1 调节器禁用

表5-2： 电流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已禁用）

电源引脚组 3.3 V器件电流（mA） 1.2 V器件电流（mA） 3.3 V器件电流 装置总功率（mW）
复位 典型 9.8 11 9.8 50
100BASE-TX / W交通 典型 27 20 70 124
10BASE-T / W交通 典型 10 13 114 54
能源检测掉电 典型 4.6 2.1 4.6 19
一般掉电 典型 0.8 1.9 0.7 5.3

5.4.1.2 稳压器已启用

表5-3： 电流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已启用）

电源引脚组 设备电流（mA） 带有磁性的设备电流（mA） 装置总功率（mW）
复位 典型 21 21 71
100BASE-TX / W交通 典型 50 92 163
10BASE-T / W交通 典型 24 129 81
能源检测掉电 典型 6.8 6.9 23
一般掉电 典型 3.5 3.5 12

5.4.2 REF_CLK输出模式

5.4.2.1 调节器禁用

表5-4： 电流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已禁用）

电源引脚组 3.3 V器件电流（mA） 1.2 V器件电流（mA） 3.3 V器件电流（mA） 装置总功率（mW）
复位 典型 20 11 20 86
100BASE-TX / W交通 典型 37 20 79 160
10BASE-T / W交通 典型 20 13 124 88
能源检测掉电 典型 4.5 1.7 4.4 18
一般掉电 典型 1.0 1.3 0.9 6.4

5.4.2.2 稳压器已启用

表5-5： 电流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已启用）

电源引脚组 设备电流（mA） 带有磁性的设备电流（mA） 装置总功率（mW）
复位 典型 31 31 103
100BASE-TX / W交通 典型 59 102 195
10BASE-T / W交通 典型 34 139 112
能源检测掉电 典型 6.5 6.4 21
一般掉电 典型 3.2 3.2 11

5.5 直流规格

表5-6详细说明了非可变I / O缓冲区的特征。这些缓冲器类型不支持可变电压操作。表5-7详细列出了可变电压I / O缓冲器的特性。提供了针对1.8 V，2.5 V和3.3 V VDDIO情况的典型值。
表5-6：不变的I / O缓冲区特征

参数 符号 最小 典型值 最高 单元 注意
IS类型输入缓冲器
低输入电平 VILI -0.3 V
高输入电平 VIHI 3.6 V
负向阈值 VILT 1.01 1.19 1.39 V 施密特触发器
正向阈值 VIHT 1.39 1.59 1.79 V 施密特触发器
施密特触发器磁滞（VIHT-VILT） VHYS 336 399 459 mV
输入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO） IIH -10 10 uA （请参阅注释1）
输入电容 CIN 2 pF
O12型缓冲器
低输出电平 VOL 0.4 V IOL = 12 mA
高输出电平 VOH VDD2A-0.4 V IOH = -12 mA
ICLK类型缓冲器（XTAL1输入） （见注释2）
低输入电平 VILI -0.3 0.35 V
高输入电平 VIHI VDDCR-0.35 3.6 V

注1 ：该规范适用于所有输入和三态双向引脚。内部下拉电阻和上拉电阻每引脚（典型值）增加±50µA。
注2 ：XTAL1 / CLKIN可以选择由25 MHz单端时钟振荡器驱动。

表5-7： 可变的I / O缓冲区特征

参数 符号 最小 典型值1.8 V 2.5 V（典型值） 3.3 V（典型值） 最高 单元 注意
VIS类型输入缓冲器
低输入电平 VILI -0.3 V
高输入电平 VIHI 3.6 V
负阈值 VILT 0.64 0.83 1.15 1.41 1.76 V 施密特触发器
正向阈值 VIHT 0.81 0.99 1.29 1.65 1.90 V 施密特触发器
施密特触发器滞后（VIHT-VILT） VHYS 102 158 136 138 288 毫伏
输入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO） IIH -10 10 微安 （请参阅注释1）
输入电容 CIN 2 F
VO8型缓冲器
低输出电平 VOL 0.4 V IOL = 8 mA
高输出水平 VOH VDDIO-0.4 V IOH = -8 mA
VO8型缓冲器
低输出水平 VOL 0.4 V IOL = 8 mA

注释1：该规范适用于所有输入和三态双向引脚。内部下拉电阻和上拉电阻每引脚（典型值）增加±50 µA。

表5-8： 100BASE-TX收发器特性

参数 符号 最小 典型值 最高 单元 注意
峰值差分输出电压高 VPPH 950 - 1050 mVpk （请参阅注释1）
峰值差分输出电压低 VPPL -950 - -1050 mVpk （请参阅注释1）
信号幅度对称 VSS 98 - 102 % （请参阅注释1）
信号上升和下降时间 TRF 3.0 - 5.0 ns （请参阅注释1）
上升和下降对称 TRFS - - 0.5 ns （请参阅注释1）
占空比失真 DCD 35 50 65 % （见注释2）
过冲和下冲 VOS - - 5 %
抖动 1.4 ns （见注释3）

注释1 ：在变压器的线路侧测量，线路被100Ω（±1％）电阻代替。
注释2 ：在脉冲峰值的50％时从16 ns脉冲宽度偏移。
注释3 ： 差分测量。

表5-9： 10BASE-T收发器特性

参数 符号 最小 典型值 最高 单元 注意
变送器峰值差分输出电压 VOUT 2.2 2.5 2.8 V （请参阅注释1）
接收器差分静噪阈值 VDS 300 420 585 mV

注1 ：保证的最小/最大电压是在100Ω电阻负载下测得的。

5.6 交流规格

本节详细介绍了设备的各种交流时序规范。

5.6.1 等效测试负荷

除非另有说明，否则输出时序规范假定等效测试负载为25 pF，如下图5-1所示。

5.6.2 电源序列时序

该图说明了设备电源排序的要求。VDDIO，VDD1A，VDD2A和电磁电源可以以任何顺序打开，只要它们都在指定的时间段tpon内达到工作电平即可。只要设备电源在指定时间段tpoff内全部达到0伏，就可以以任何顺序关闭电源。
VDD1A / VDD2A电源在VDDCR和VDDIO电源处于零伏的状态下保持不超过750 ms的时间是可以接受的。在这种情况下，必须在VDDCR和/或VDDIO处于关闭状态时断言nRESET，并且必须在VDDCR和VDDIO电源达到工作电平后至少50 ms保持置位状态。另外，VDDIO必须在VDDCR电源之后或之后提供。配置带必须满足第5.6.3节“开机nRST和配置带时序”中指定的要求。

表5-10： 功率序列时序值

符号 描述 最小 典型值 最高 单元
pon 电源开启时间 50 ms
tpoff 电源关闭时间 500 ms

**注意：**禁用内部稳压器时，VDDCR和3.3V电源之间存在上电排序关系。有关更多信息，请参见第3.7.3节“ REGOFF： 内部+1.2 V稳压器配置”。

5.6.3 上电nRST和配置分段时序

该图说明了与上电有关的nRST复位和配置带时序要求。上电后需要进行硬件复位（nRST断言）。为了正确运行，必须断言nRST不小于trstia。可以随时将nRST引脚置为有效，但是在所有外部电源都达到工作电平后，才可以在置位之前将nRST引脚置为无效。为了在上电时读取有效的配置带值，必须遵循tcss和tcsh时序约束。有关更多信息，请参见第3.8.6节“重置”。

图5-3： 上电nRST和配置分段时序

表5-11：上电nRST和配置表带时序值

符号 描述 最小 典型值 最高 单元
tpurstd 外部电源在操作级别上达到nRST断言 25 ms
tpurstv 处于操作级别且nRST有效的外部电源 0 ns
trstia nRST输入断言时间 100 us
tcss 配置表带引脚设置为nRST无效 200 ns
tcsh nRST置低后，配置带状引脚保持固定 1 ns
totaa nRST断言后输出三态 50 ns
todad nRST置低后的输出驱动器 2 800 （请参阅注释1） ns

注意：nRST断言必须是单调的。
注意 ：由于nRST断言，设备配置带被锁存。有关详细信息，请参见第3.7节“配置带”。配置带只能拉高或拉低，并且不能作为输入驱动。
注1 ：25 MHz时20个时钟周期，或50 MHz时40个时钟周期

5.6.4 RMII接口时序

5.6.4.1 RMII时序（REF_CLK输出模式）

50 MHz REF_CLK OUT时序适用于将nINTSEL拉低的情况。在这种模式下，必须在XTAL1/CLKIN和XTAL2引脚上输入25MHz的晶体或时钟振荡器。有关REF_CLK输出模式的更多信息，请参见第3.7.4.2节“REF_CLK输出模式”。
**注意：**CRS_DV引脚同时执行载波侦听和数据有效功能。由于与操作模式有关的标准，CRS_DV在检测到载波时会被异步声明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY还有其他位要在RXD[1：0]上显示，则器件将在REF_CLK的周期上声明CRS_DV，这将提供每个半字节的第二位，并在REF_CLK的周期上声明CRS_DV无效。表示半字节的第一个di位。有关更多信息，请参考RMII规范。

图5-4： RMII时序（REF_CLK OUT MODE）

表5-12： RMII时序值（REF_CLK输出模式）

符号 描述 最小 最高 单元 注意
tclkp REFCLKO周期 20 ns
tclkh REFCLKO高电平时间 tclkp * 0.4 tclkp * 0.6 ns
tclkl REFCLKO低电平时间 tclkp * 0.4 tclkp * 0.6 ns
toval 从REFCLKO的上升沿开始的RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出有效 7.0 ns （请参阅注释1）
toinvld 从REFCLKO的上升沿开始，RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出无效 3.0 ns （请参阅注释1）
tsu TXD [1：0]，TXEN建立时间到REFCLKO的上升沿 7.5 ns （请参阅注释1）
tihold TXD [1：0]，REFCLKO的上升沿之后的TXEN输入保持时间 2.0 ns （请参阅注释1）

注1 ：定时设计用于10 pf至25 pf的系统负载。

5.6.4.2 RMII时序（REF_CLK输入模式）

50 MHz REF_CLK IN时序适用于nINTSEL悬空或拉高的情况。在此模式下，必须在CLKIN引脚上输入50 MHz时钟。有关REF_CLK模式的更多信息，请参见第3.7.4节“ nINTSEL：nINT / REFCLKO配置”。

**注意：**CRS_DV引脚同时执行载波侦听和数据有效功能。由于与操作模式有关的标准，CRS_DV在检测到载波时会被异步声明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY还有其他位要在RXD [1：0]上显示，则器件将在REF_CLK的周期上声明CRS_DV，这将提供每个半字节的第二位，并在REF_CLK的周期上声明CRS_DV无效。表示半字节的第一个di位。有关更多信息，请参考RMII规范。
图5-5： RMII时序（REF_CLK IN MODE）

表5-13： RMII时序值（REF_CLK IN MODE）

符号 描述 最小 典型值 最高 单元 注意
tclkp 克金期 20 ns
tclkh CLKIN高时间 tclkp * 0.35 tclkp * 0.65 ns
tclkl CLKIN低时间 tclkp * 0.35 tclkp * 0.65 ns
toval RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出 从CLKIN的上升沿开始有效 15.0 ns （请参阅注释1）
toinvld RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出 从CLKIN的上升沿起无效 3.0 ns （请参阅注释1）
tsu TXD [1：0]，TXEN建立时间到CLKIN的上升沿 4.0 ns （请参阅注释1）
tihold TXD [1：0]，CLKIN上升沿之后的TXEN输入保持时间 1.5 ns （请参阅注释1）

注1 ：时序设计用于10 pF至25 pF的系统负载。

5.6.4.3 RMII CLKIN要求

表5-14： RMII CLKIN（REF_CLK）时序值

参数 最小 典型值 最高 单元 注意
CLKIN 频率 50 MHz
CLKIN 频率漂移 ±50 ppm
CLKIN 占空比 40 60 %
CLKIN 抖动 150 ps p-p –不是RMS

5.6.5 SMI时序

本节指定设备的SMI时序。有关更多详细信息，请参见第3.5节“串行管理接口（SMI）”。

图5-6： SMI 时序

表5-15： SMI时序值

符号 描述 最小 最高 单元
tclkp MDC期间 400 ns
tclkh MDC高时间 160 (80%) ns
t~clkl ~ MDC低时间 160 (80%) ns
tval 从MDC的上升沿有效的MDIO（从PHY读取）输出 300 ns
toinvld MDIO的上升沿导致MDIO（从PHY读取）输出无效 0 ns
tsu 到MDC上升沿的MDIO（写入PHY）建立时间 10 ns
tihold MDC上升沿之后的MDIO（写入PHY）输入保持时间 10 ns

5.7 时钟电路

该器件可以接受25 MHz晶体或25 MHz单端时钟振荡器（±50ppm）输入。如果采用单端时钟振荡器方法，则应使XTAL2保持未连接状态，并用标称0-3.3 V时钟信号驱动XTAL1 / CLKIN。输入时钟占空比为最小40％，典型50％和最大60％。
建议将使用匹配并联负载电容器的晶体用于晶体输入/输出信号（XTAL1 / XTAL2）。可以使用300 µW或100 µW的25 MHz晶体。第5.7.1节“ 300 µW 25 MHz晶体规范”中详细介绍了300 µW 25 MHz晶体规范。第5.7.2节“ 100 µW 25 MHz晶体规范”中详细介绍了100 µW 25 MHz晶体规范。

5.7.1 300 µW 25 MHZ晶体规格

当使用300 µW 25 MHz晶振时，需要以下电路设计（图5-7）和规格（表5-16），以确保正常工作。

图5-7： 300 µW 25 MHZ晶体电路

表5-16：300 µW晶体规格

参数 符号 最小 典型 最高 单元 注意
晶振切工 AT，典型
晶体振荡模式 基本模式
晶体校准模式 并联共振模式
频率 Ffund - 25.000 - MHz
25 ℃时的频率容限 Ftol - - ±50 ppm （请参阅注释1）
频率温度稳定性 Ftemp - - ±50 ppm （请参阅注释1）
随时间变化的频率 Fage - ±3至5 - ppm （见注2）
允许的PPM总预算 - - ±50 ppm （见注3）
分流电容 CO - 7 typ - pF
负载电容 CL - 20 typ - pF
驱动等级 PW 300 - - uW
等效串联电阻 R1 - - 50 Ω
工作温度范围 （见注4） - （见注5） ℃
XTAL1/CLKIN引脚电容 - 3 typ - pF （见注6）
XTAL2引脚电容 - 3typ - pF （见注6）

注释1 ：频率公差和频率稳定性的最大允许值取决于应用。由于任何特定的应用都必须满足IEEE±50 ppm的总PPM预算，因此这两个值的组合必须大约为±45 ppm（允许老化）。
注释2 ：随时间变化的频率也称为老化。
注释3 ：发送器时钟频率的总偏差由IEEE 802.3u指定为 ±50 ppm。
注释4 ：商业版本为0°C，工业版本为-40°C
注释5 ： 商业版+ 70°C，工业版+ 85°C
注释6 ：该数字包括焊盘，键合线和引线框。该值不包括PCB电容。需要XTAL1 /CLKIN引脚，XTAL2引脚和PCB电容值才能准确计算两个外部负载电容器的值。这两个外部负载电容器确定25.000MHz频率的精度。

5.7.2 100 µW 25 MHZ晶体规范

当使用100 µW 25 MHz晶振时，需要以下电路设计（图5-8）和规格（表5-17），以确保正常工作。

表5-17： 100 µW晶体规格
参数 符号 最小 典型 最高 单元 注意
水晶切工 AT，典型
晶体振荡模式 基本模式
晶体校准模式 并联共振模式
频率 Ffund - 25.000 - MHz
25oC时的频率容限 Ftol - - ±50 ppm （请参阅注释1）
频率温度稳定性 Ftemp - - ±50 ppm （请参阅注释1）
随时间变化的频率 Fage - ±3至5 - ppm （见注2）
允许的PPM总预算 - - ±50 ppm （见注3）
分流电容 CO - - 5 pF
负载电容 CL 8 - 12 pF
驱动等级 PW - 100 - uW （见注4）
等效串联电阻 R1 - - 80 Ω
XTAL2系列电阻器 RS 495 500 505 Ohm
工作温度范围 （见注5） - （见注6） ℃
XTAL1/CLKIN引脚电容 - 3 typ - pF （请参阅注释7）
XTAL2引脚电容 - 3 typ - pF （请参阅注释7）

注释1 ：频率公差和频率稳定性的最大允许值取决于应用。由于任何特定的应用都必须满足IEEE±50ppm的总PPM预算，因此这两个值的组合必须大约为±45 ppm（允许老化）。
注释2 ：随时间变化的频率也称为老化。
注释3 ：发送器时钟频率的总偏差由IEEE 802.3u指定为 ±50 ppm。
注释4 ：晶振必须支持100 µW操作才能使用该电路。
注释5 ：商业版本为0°C，工业版本为-40°C
注释6 ： 商业版+ 70°C，工业版+ 85°C
注释7 ：该数字包括焊盘，键合线和引线框。该值不包括PCB电容。需要XTAL1/CLKIN引脚，XTAL2引脚和PCB电容值才能准确计算两个外部负载电容器的值（图5-8中的C1和C2）。外部负载电容器C1和C2确定25.000 MHz频率的精度。

6.0 包装概述

此处请自行查阅原数据手册

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