eMMC/Nand SLC MLC与TLC的区别及擦写寿命
1、SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型,三者区别如下:SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC的3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。
2、MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命。
3、TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。
4、工业系统一般要求使用Nand Flash,通常使用SLC nand,这样Flash的存存储寿命更长(5-10w次);
5、eMMC存储器通常使用MLC技术,擦除/写入速度上存在很大局限性,一般在4000个写入周期,但eMMC已经使用负载均衡算法,各个块寿命会有一个均衡处理;
6、TLC的存储器暂没有使用过,不作说明;
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