低功耗基础概念——Level Shifter cell
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当信号从低压Domain传输到高压Domain时，PMOS管栅极处的较低电压可能会导致栅极不完全关断，从而导致异常的泄漏电流。
因此，当信号在跨电压域传输时，需要加Level shift cell。比如当下图中信号从AON block传输到PD1时，需要加Level shifter。当信号从PD1传输到PD2时，由于PD1是power gating模块，所以需要在PD1和PD2之间加带Isolation 功能的Level shifter cell（ELS：Enable Level shifter）。
对于数字后端实现而言，我们主要关注的是Level shift cell的power连接和placement的要求。
Level shifter是两条row高度的cell，其中含有VDD，VSS和VDDL(VDDH)。VDDL和VDDH是secondary power pin。在画power时，需要将其画成一个额外的power rail，确保每个Level shift cell secondary power pin的正常供电。
Level shift cell的placement主要考虑cell的transition。所以建议用magnet_placement (数字后端命令——magnet placement)来实现。同样还需要注意各种电压域跨越时，level shifter cell 的input 和output需要设置dont_touch，防止工具插buffer。
实例：
低功耗实例——isolation cell及level shifter的选择
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