DDR3、DDR3L以及LPDDR3对比介绍，规范解读以及硬件设计开发实际案例分享

本文主要是由一个问题引起，关于Zynq 7000系列芯片是否支持LPDDR3。Zynq7000是不支持LPDDR3应用的，还有一些特殊形式的Dual-die / Quad-die这种形式的DDR3颗粒也不支持。本文主要围绕DDR3、DDR3L以及LPDDR3的JTSD标准解读，实际的设计案例分享。本号有非常多的实际设计案例分享文章，欢迎阅读。

本博客精品文章主要内容如下：

Zynq7000硬件开发之硬件开发流程简介（一）https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/119608462?spm=1001.2014.3001.5501https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/119608462?spm=1001.2014.3001.5501

Zynq7000硬件开发之总体硬件架构设计https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/119756486?spm=1001.2014.3001.5501

Zynq硬件开发之Xilinx官方技术手册解读（一）https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/119847273?spm=1001.2014.3001.5501

Zynq7000硬件开发之Xilinx官方技术手册解读（二）https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/119943287?spm=1001.2014.3001.5501

Zynq7000硬件开发之芯片供电电源功耗（电流）评估_硬件开发不完全攻略-CSDN博客案头语：单板硬件的主控芯片集成度越来越高，多核处理器越来越多，一块单板可能只需要1块芯片就能满足整体需求，一方面减少设计复杂度、另一面节省PCB面积成本，能同时掌握硬件原理设计以及PCB Layout设计逐渐成为主流，本系列文章同时包含有两部分内容且进行融合，欢迎大家持续关注，关注微信公众号“硬件开发不完全攻略”。本次更新内容主要讲述如何通过Zynq 7000在Vivado下的工程文件评估芯片的各路电源功耗（电流），电源功耗（电流）评估对于电源选型、电源平面设计、电源完整仿真评估等都有很重...https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/119975400?spm=1001.2014.3001.5501

Zynq7000硬件开发之电源供电系统(PDN)设计（一）https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/120032000?spm=1001.2014.3001.5501https://blog.csdn.net/bianyuanren92/article/details/120032000?spm=1001.2014.3001.5501

DDR3参考标准为JESD79-3F，其中F为版本号，由JEDEC协会（固态技术协会）发布的标准，各个DDR生产厂家产品都必须满足，所以只要DDR的参数相同，各个厂家的器件均可直接替代，单片最大容量为8Gb。小编也积累了一些DDR的标准，有DDR, DDR2, DDR3,DDR4, GDDR5, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4，文后附有下载方式。

DDR3L参考标准为JESD79-3-1A，一般来讲DD3L产品都会反向兼容DDR3系列产品，不同点为DDR3供电为1.5V、DDR3L为1.35V。下图为某厂家的DDR3L颗粒的描述。

LPDDR3为LPDDR（Low Power Double Data Rate SDRAM）系列中的产品，参考标准为JESD209-3B，主要面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品，最大容量为32Gb，是DDR3的4倍。

LPDDR3有POP堆叠封装和独立封装形式，堆叠封装包含有“球-焊盘”和“球-球”两种，具体图如下：

图片来源网络，POP封装的两种形式

DDR3有多晶片（Die）产品，分为Dual-die和Quad-die产品，与单die产品区别为CKE, /CS,ODT,ZQD等信号数量不同。

DDR3与LPDDR3的数据部分管脚定义无明显差别，只是LPDDR3单颗粒支持最大数据宽度为32位，分为4组数据信号，单组数据信号均包括DQ1-8, DQS+/-, DM等；控制以及地址信号定义差别较大，具体如下

DDR3管脚定义（以单die x16 96ball为例）如下：

LPDDR3管脚定义如下：

DDR3的A0-A14, RAS#, CAS#, WE#,BA0-2这些信号在LPDDR3中改为了CA0-9，主要原因是两种芯片的Command truth table的定义更改了，对于内置有DDR控制器的处理器来说，硬件和软件设计时只要对相应管脚的定义准确即可，具体操作有DDR控制器处理，具体区别如下

DDR3 的Command truth table

LPDDR3 的Command truth table

Zynq7000的DDR3设计原理图如下所示，其支持DDR3/DDR3L，但支持不了Dual-die、Quad-die的DDR3芯片。设计为2片X16的DDR3，Fly-by连接形式，具体如下。

LPDDR3设计为RK3399芯片的外部存储，其包含2个DDR控制器，可支持DDR3, LPDDR3, 以及Dual-die/Quad-die DDR3颗粒，具体设计如下，另一DDR控制器设计相同，设计为x32位LPDDR3颗粒。

LPDDR3 颗粒型号为K4E8304EE-EGCE，型号具体参数如下：

另外LPDDR3与DDR3的封装形式也有较大差异，具体可参考JESD-DDR系列标准。

关注微信公众号“硬件开发不完全攻略”，后台回复“DDR标准”获取JESD-DDR系列标准，仅供学习交流使用。如需官方文件，请在JEDEC协会官网下载获取。

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