SN74LVC1G08DBVR
描述
该单路2输入正与门设计用于1.65 V至5.5 V VCC操作。SN74LVC1G08器件执行布尔函数或正逻辑。CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽VCC工作范围内保持低静态功耗。SN74LVC1G08提供多种封装，包括体积为0.8 mm×0.8 mm的超小型DPW封装。
品牌：TI
型号；SN74LVC1G08DBVR
封装：SOT
包装：3000
年份：18+
特性
FAE：13723714318
提供超小型0.64平方毫米
包装（DPW），0.5毫米间距
支持5V VCC操作
输入接受电压至5.5 V.
向VCC提供向下转换
3.3 V时最大tpd为3.6 ns
低功耗，10-μA最大ICC
±24 mA输出驱动，3.3 V
Ioff支持实时插入，部分关机模式和后驱保护
闩锁性能超过100 mA
根据JESD 78，Class II
ESD保护超过JESD 22
2000-V人体模型（A114-A）
200 V机型（A115-A）
1000 V充电设备型号（C101）
电源可以是位于最小和最大电源额定电压之间的任何电压推荐的操作条件表。
每个Vcc引脚应具有良好的旁路电容，以防止电源干扰。对于单个设备电源，建议使用0.1μF电容，如果有多个Vcc引脚，则为0.01μF或0.022μF电容建议每个电源引脚使用。并联多个旁路电容可以抑制不同的频率噪音通常并联使用0.1μF和1μF电容。旁路电容应安装为尽可能靠近电源引脚以获得最佳效果。
11布局
11.1布局指南
当使用多位逻辑器件时，输入不应该浮动。在许多情况下，功能或功能的一部分数字逻辑器件尚未使用;例如，当仅使用三输入AND门的两个输入时或仅使用时使用4个缓冲门中的3个。由于未定义的电压，这些输入引脚不应保持未连接状态在外部连接处导致未定义的操作状态。以下规定必须遵守的规则在所有情况下观察。数字逻辑器件的所有未使用输入必须连接到高或低偏见以防止它们漂浮。应该应用于任何特定未使用输入的逻辑电平取决于关于设备的功能。一般来说，他们将与Gnd或Vcc联系在一起，无论哪个更有意义或更多方便。
12.2静电放电警告
这些器件具有有限的内置ESD保护。 引线应短接在一起或将器件置于导电泡沫中在储存或处理过程中，以防止MOS栅极的静电损坏。
12.3词汇表
FAE：13723714318
SLYZ022 - TI术语表。该术语表列出并解释了术语，首字母缩写词和定义。13机械，包装和可订购信息以下页面包括机械包装和可订购信息。 这个信息是最多的可用于指定设备的当前数据。 此数据如有更改，恕不另行通知和修改
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