文章目录

序言：flash相关知识背景
一、FLASH操作流程与操作选址
- 1.1 FLASH操作流程
- 1.2 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址
二、Flash基本知识点
- 2.1 Flash容量
- 2.2 ST库对Flash操作的支持
三、OK，上干货，上代码
- 3.1 先定义一个Flash操作的**起始地址宏定义**和**Flash状态指示标志位**
- 3.2 编写各个读写函数

序言：flash相关知识背景

STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。
其中：

RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。
ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。
ROM又包含：EEPROM和flash。

画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下（如有什么地方不对，恳请大神们进行指正）：

作为ROM的一份子，flash的特点自然是掉电数据不丢失。但是，flash在STM32中比较重要，程序也是保存在这个地方，所以轻易不让用户进行随意的读写，以避免不必要的问题。

而这篇博客就先简单记录一下flash的访问流程和方法（读和写），具体原理以后理解深刻了再做补充。

一、FLASH操作流程与操作选址

1.1 FLASH操作流程

Flash操作已经属于嵌入式设备中很底层的操作了，直接对地址进行存取，简单描述，Flash操作大致需要以下流程：

1、确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）
2、解锁Flash
3、对Flash进行操作（写入数据）
4、对Flash重新上锁

1.2 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址

要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响）

我此次操作Flash使用的MCU是STM32F103C8T6，所以以该型号MCU为例进行描述：

在数据手册中，可以看到STM32F103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000（如下图所示），而STM32F103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32F103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 0000——0x0800 FFFF（计算方法参考另一篇博客：STM32内存大小与地址的对应关系以及计算方法）。这里选取0x0800 F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。

二、Flash基本知识点

2.1 Flash容量

Flash根据容量大小可以分为以下三种：

1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）
2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）
3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）

2.2 ST库对Flash操作的支持

ST库中对Flash操作主要提供了以下几类操作API函数：

1、Flash解锁、锁定函数

void FLASH_Unlock(void);    //解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁
void FLASH_Lock(void);      //锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁

2、Flash写操作函数

FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);             //32位字写入函数
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);         //16位半字写入函数
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);    //用户选择字节写入函数

注：这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

3、Flash擦除函数

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);

4、获取Flash状态

FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);

获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：
*

typedef enum {FLASH_BUSY = 1,       //忙FLASH_ERROR_PG,       //编程错误FLASH_ERROR_WRP,      //写保护错误FLASH_COMPLETE,       //操作完成FLASH_TIMEOUT         //操作超时
}FLASH_Status;

5、等待操作完成函数

FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

注：在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。

三、OK，上干货，上代码

根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的读写操作代码如下：

3.1 先定义一个Flash操作的起始地址宏定义和Flash状态指示标志位

#define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY; //Flash操作状态变量

3.2 编写各个读写函数

/** Name:        WriteFlashOneWord* Function:    向内部Flash写入32位数据* Input:     WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）*              WriteData：   写入的数据*/
void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress, uint32_t WriteData)
{   FLASH_UnlockBank1();FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);  if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)   {  FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); //flash.c 中API函数}FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位FLASH_LockBank1();
}/** Name:      WriteFlashData* Function:   向内部Flash写入数据* Input:        WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）*             data[]：      写入的数据首地址*             num：         写入数据的个数*/
void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint8_t data[], uint32_t num)
{uint32_t i = 0;uint16_t temp = 0;FLASH_UnlockBank1();    //解锁flashFLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = 1;        //清空状态指示标志位FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除整页if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//flash操作完成{FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位for(i=0; i<num; i++){temp = (uint16_t)data[i];FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);//写入数据}}FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位FLASH_LockBank1();  //锁定flash
}

/** Name:        ReadFlashNBtye* Function:   从内部Flash读取N字节数据* Input:     ReadAddress：数据地址（偏移地址）*              ReadBuf：读取到的数据存放位置指针*              ReadNum：读取字节个数* Output:      读取的字节数*/
int ReadFlashNBtye(uint32_t ReadAddress, uint8_t *ReadBuf, int32_t ReadNum)
{   int DataNum = 0;ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress;  while(DataNum < ReadNum)   {        *(ReadBuf + DataNum) = *(__IO uint8_t*) ReadAddress++;  DataNum++;     }return DataNum;
}/** Name:      ReadFlashData* Function:    从内部Flash读取num字节数据* Input:       ReadAddress：数据地址（偏移地址）*              dest_Data：  读取到的数据存放位置指针*              num：        读取字节个数*/
void ReadFlashData(uint32_t ReadAddress, uint8_t *dest_Data, uint32_t num)
{int i = 0;ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress; while(i < num) {*(dest_Data+i) = *(__IO uint16_t*) ReadAddress;ReadAddress += 2;i++;}
}

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