stm学习---FSMC控制TFT屏程序1

在研究原子的程序时，有下面3段
1.
typedef struct
{
vu16 LCD_REG;
vu16 LCD_RAM;
} LCD_TypeDef;

#define LCD_BASE ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))
#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)

void LCD_WR_REG(u16 regval)
{
LCD->LCD_REG=regval;
}
void LCD_WR_DATA(u16 data)
{
LCD->LCD_RAM=data;
}

3.
LCD_WR_REG(0xED);
LCD_WR_DATA(0x64);

其中涉及到了结构体（结构体是一种数据类型）、指针、寻址、FSMC、TFT屏，该段程序实际是定义TFT屏（该屏是8080的16位并口模式）的RS标志线为地址0x000007FE：
1.FSMC可以控制外部 SRAM，SRAM有地址线（如 A0~A18）、数据线（如 D0~D15）、写信号（WE）、读信号（OE）、片选信号（CS），如果 SRAM 支持字节控制，那么还有 UB/LB 信号；TFTLCD有数据线（如 D0~D15）、WR、RD、CS、RST（复位，可以硬件实现）、RS、BL（背光控制），实际用D0~D15、WR、RD、 CS、RS即可控制TFT。向FSMC寻址的地址写数据，则FSMC的数据线就输出该数据，这样则FSMC可以控制TFT了，由于FSMC有地址线，TFT没有地址线，但是有RS信号线，RS是数据/命令信号线，RS=0时表示TFT接收的是命令，RS=1时表示TFT接收的是数据,那么FSMC只要地址线的任何一根线连接了RS都可以控制TFT了：语句#define LCD_BASE ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))中0x6C000000是fsmc4个管理块中的Bank1的分区4的起始地址，对应地址信号全为0，由于使用了A10连接TFT的RS线，为了方便寻址连续，则A10为低电平时的最大寻址地址是0x000007FF，而现在为什么是0x000007FE，是因为FSMC是由HADDR控制的，HADDR是内部AHB地址总线，当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]对应FSMC-A[24:0]，相当于HADDR[25:1]右移一位，HADDR[25:0]的26根线，才能寻址64M地址，所以A10接在RS上相当于HADDR[11]接在RS上，即A10为高电平时的最大寻址地址是0x00000FFF，现在((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)将转换成结构体地址指针，指向结构体第一个成员，即首地址是((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))即0x6C0007FE即此时HADDR[11：0]为011111111110即0x7FE，H[11]低电平即A10低电平，为使寻址连续，所以H[11]高电平即A10高电平时可以对应HADDR[11：0]为100000000000，即0x800，这样FSMC寻址0x6C0007FE时，则RS为低电平，向0x6C0007FE 写入数据，则FSMC的数据线向TFT传送该数据，则TFT认为该数据为命令；FSMC寻址0x6C000800时，则RS为高电平，向0x6C000800 写入数据，则FSMC的数据线向TFT传送该数据，则TFT认为该数据为数据；另外0x6C0007FE与0x6C000800差了两个字节，是因为FSMC使用了16位模式，数据总线是16位，则地址必须占用两个字节才能向地址写数据。实际FMSC控制TFT并没有真正寻TFT的地址空间， FSMC只是通过自身的地址线控制RS，向该地址写数据就是向数据线传输数据，TFT通过RS的高低电平认定接收来的数据是数据还是命令。地址不一定是0x6c0007FE和6c000800，只要是控制A10高低电平的地址都可以，也不一定要连续地址，可以分别定义0x6c0007FE和0x6c000800；使用了FSMC功能后，其它的地址线最好不再作为别的功能的IO使用，但是在不影响RS的电平的情况下灵活运用其他地址线还是有可能，比如我使A2输出高电平，则可以使地址寻址0x6c000808，而必须保证此时的A10不会变化。。。

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