下一个笔试题是华为,虽然只有单选和多选,但还是需要准备一下:

这是一个电路中的某一条关键路径,或者是一个单独的设计,都可以去求其最高频率。

考虑到有时钟抖动等许多情况,所以此电路的最小周期应该为:

Tmin = Tcq + Tgate + Tsu;

本题的组合逻辑延迟,也就是门延迟是一个反相器inv2,为2ns,而Tcq在这里应该是逻辑延迟6ns。

根据题目信息,可以知道Tmin = 6 + 2 + 2 = 10ns.

最高频率为100MHz。

这个题目属于从慢时钟域到快时钟域的信号传输问题,理论上常用的方法是握手协议的方法:https://blog.csdn.net/Reborn_Lee/article/details/89647526

当多比特信号从慢时钟传输的时候,同时让请求使能信号有效req,用快时钟的上升沿对使能信号两拍寄存(采样),检测请求信号的边沿,检测到请求信号后,锁存输入数据,同时在锁存数据后的下一拍产生应答信号ack,这样就完成了一次握手。(发送时钟域检测到ack后就结束这一次传输了,握手结束。)

相关参考链接:

https://blog.csdn.net/Reborn_Lee/article/details/89647526

https://blog.csdn.net/Reborn_Lee/article/details/88094999

https://blog.csdn.net/Reborn_Lee/article/details/82317142

https://www.cnblogs.com/IClearner/p/6579754.html

使用异步FIFO,当然可以,异步FIFO是跨时钟域传输通吃的办法。

20200103更新

有同学说格雷码计数从0到6,而非从6到7,所以使用格雷码不能解决,是这样吧。

至于D:有个博友给了个图,供参考:

3、乒乓buffer可以提高系统的数据吞吐量,提高系统的处理并行度 。(判断题)

乒乓操作是一种流水线的思想,所以有利于提高系统的速度,并行度,是一种用面积换速度的案例。

其原理图大概是这样的:

数据缓存到DPRAM1时,输出DPRAM2的内容,下一拍数据缓存到DPRAM2,则输出DPRAM1的内容。

参考:

https://baike.baidu.com/item/%E4%B9%92%E4%B9%93%E6%93%8D%E4%BD%9C/696591

深入浅出玩转FPGA

画两张图吧,懂得自懂,不懂也米办法:

选D。


5、

同类型的题目有,什么对静态功耗影响最大?

电压和工艺对静态功耗都有影响,但是工艺影响最大。

回到本题:

峰值往往出现在时钟翻转的瞬间,hvt只能降低静态功耗;

clock gating可以用效降低动态功耗,因为减少了不必要的时钟翻转;

power gating,通常是也是减少待机电流。因为正常工作时各种power domain都是打开的;

memory shutdown与power gating是一个意思。只是一个关memory模块的电,一个是关逻辑模块的电;

选择2;


画出他们的电路吧,这样就不得不明白了:

这题目是考阻塞赋值(=),非阻塞赋值(<=)


静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory),这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,功耗较DRAM大   ,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。

因此选2;


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