新兴内存技术准备突围

Emerging memory technologies ready to break out

多伦多——新兴记忆技术已经出现了几十年，但是今年由客观分析和考夫林协会发布的《新兴记忆增长》报告显示，新兴记忆技术已经达到了一个临界点，比以往任何时候都更有意义。
报告发现，到2029年，新兴内存市场的总收入有望达到200亿美元，这主要是因为它取代了目前效率较低的存储技术，如NOR flash和SRAM，甚至取代了DRAM的一部分销售额。随着未来进程的缩小和规模经济的提高，它们也将与现有的内存技术更具竞争力，这将推动价格的下降，从而实现独立芯片和嵌入式asic、微控制器甚至计算处理器的采用。

需要关注的三个关键新兴存储器是PCRAM、MRAM和ReRAM；而flash和SRAM则是最有可能被取代的存储器。

但客观分析公司负责人吉姆汉迪（Jim Handy）表示，尽管200亿美元的数字听起来令人印象深刻，但必须记住，这是所有新兴内存的市场，MRAM和PCRAM主要以英特尔Optane的形式存在。“去年DRAM达到了其有生之年可能达到的最高水平，仅略低于1000亿美元，”他在与Coughlin Associates创始人Thomas Coughlin的联合电话简报中表示。
该报告预计，到2029年，3D-XPoint的收入增长将达到160亿美元，这要归功于其subdram的价格。同时，独立的MRAM和STT-RAM收入将接近40亿美元，相当于MRAM
2018年收入的170倍以上。与ReRAM一起，MRAM有望在soc中取代大部分的嵌入式NOR和SRAM，从而推动更大的收入增长。

Coughlin说，新兴内存技术涉及面很广，但需要注意的关键技术是MRAM、PCRAM和ReRAM。他补充道：“MRAM分立器件问世已有一段时间了，但关于铸造厂用专用芯片制造asic，并用非易失性存储器取代易失性存储器的讨论很多。”。“这将是最大的驱动力之一。”

Handy说NOR-flash无法扩展到28纳米，这也将注意力转移到了替代品上。他说：“过去，在像MCU或ASIC这样的嵌入式应用中使用新兴内存的唯一原因是，你需要它所具备的一些技术属性，但它总是增加成本。”能够用更小的处理节点取代NOR闪存的前景正在激起人们的兴趣。

需要关注的三个关键的新兴存储器是PCRAM、MRAM和ReRAM，因为NOR flash和SRAM是最有可能被取代的存储器。

Coughlin说，总体而言，新兴存储器的经济性也在提高，因为铸造厂不必再增加一个后端工艺，而是将其作为现有CMOS工艺的一部分，随着产量的增加和产量的提高，这将降低制造成本。他说，现在是MRAM的“黄金时代”，因为它正获得一个在数量上证明自己的机会，因为铸造厂正在寻找将其嵌入到嵌入式芯片中，而PCRAM背后有一些支持，多亏了Intel Optane。同时，ReRAM在人工智能和机器学习方面也受到了广泛的关注。即使是FRAM，作为某些应用的黑马竞争者，也仍然处于混合状态。

然而，Handy认为，现在确定赢家还为时过早，尽管新兴内存技术的前景良好，但它们仍很难在根深蒂固的技术上取得进展。“即使经济状况正在好转，他们也很难摆脱领导地位。如果您不是成本领先者，那么您在现有技术上所获得的所有这些出色的技术优势并不是真正意义上的太大。”

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